8月18日，在一片祝福声中，苏州锴威特半导体股份有限公司（股票简称“锴威特”、股票代码“688693”）成功登陆上交所科创板。公开资料显示，锴威特主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。公司一直坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，主要产品包含功率器件及功率IC两大类。
在功率器件方面，锴威特产品以高压平面MOSFET为主，并在平面MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET（FRMOS）系列产品；在功率IC方面，公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC。此外，在第三代半导体方面，公司的SiC功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。此次上市也将为企业带来更多发展机遇和资金支持，核心竞争力将进一步提高。
政策需求双支撑助推高可靠领域国产化替代加速
我们知道，半导体产业是信息技术产业的核心，也是国民经济和社会发展的战略性产业。基于半导体产品下游应用的广泛性和其在电子转换中起到的基础性作用，半导体在实现我国制造业转型升级等方面均起到重要作用。
功率半导体的应用十分广阔，涉及电路控制和电能转换的产品均离不开功率半导体的使用。根据Omdia的数据及预测，2021年全球功率半导体市场规模为462亿美元（主要包括功率器件、功率IC和功率模组），预计2024年将达到522亿美元。
但在这样的市场需求下，作为全球最大的功率半导体消费国，现阶段中国功率半导体的进口量和进口占比仍然较大，尤其是用于工业控制领域的高性能产品及用于高可靠领域的产品，国产化替代空间较大。根据CCID的数据，中国功率器件市场中，接近90%的产品均依赖进口。根据半导体行业观察、国金证券研究所数据，中国模拟芯片仍高度依赖进口，2020年国产化率仅为12%左右。
在此背景下，我国更是颁布了《国家信息化发展战略纲要》《中国制造2025》《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》等政策，为功率半导体产业链自主可控提供了政策支持，功率半导体行业的国产化替代进程将进一步加速。
作为江苏省半导体行业协会理事单位，锴威特一直坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，坚持在高可靠领域芯片国产化替代的战略方向，洞察市场需求导向，进行自主研发和创新，将科技成果与产业深度融合。
目前，锴威特已经拥有包括平面MOSFET、功率IC等700余款产品。公司平面MOSFET产品覆盖40V-1500V电压段，已形成低压、中压、高压全系列功率MOSFET产品系列，拥有近500款不同规格的产品；公司在第三代半导体功率器件方面，已推出650V-1700VSiCMOSFET产品系列；功率IC方面，公司基于晶圆代工厂0.5um600VSOIBCD和0.18um40VBCD等工艺自主搭建了设计平台；公司与晶圆代工厂深度合作，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。公司已形成80余款功率IC产品，并完成了多款功率IC所需的IP设计与验证。
凭借其研发的高性能产品，锴威特迅速在细分领域打开市场，产品广泛应用于消费电子、工业控制及新能源汽车、光伏能源、轨道交通、智能电网等高可靠领域，并已与多家高可靠领域客户建立合作关系，该特定应用领域对产品的性能有严格要求，公司产品得以进入该领域，表明了公司部分产品指标已达到国外竞品同等水平，并在其细分产品领域逐步实现国产化替代。
同时，随着在高可靠领域国产化替代的提速，锴威特表示将凭借已有的技术及产品储备和积累的客户服务经验，进一步扩大市场份额，将公司高性能、高可靠的产品及技术服务应用到更多高可靠领域。
坚持自主创芯募投项目进一步提升研发实力
此次IPO，锴威特募集资金拟投向智能功率半导体研发升级项目、SiC功率器件研发升级项目、功率半导体研发工程中心升级项目等，项目建成后将进一步提升公司技术实力。
智能功率半导体研发升级项目主要涉及锴威特的主营产品功率器件、功率IC、IPM、光继电器（PhotoMOS）等系列产品的技术升级、工艺制程优化及部分新品类的研发及规模化量产。其中，功率器件主要包括高可靠性高压平面MOSFET（包括FRMOS）、新一代超结MOSFET（SJMOS-FD）、40V-200V屏蔽栅MOSFET产品；功率IC包括高压高速栅极驱动IC等产品。该项目实施旨在继续加强公司在功率半导体产品的技术积淀，保持在功率器件、功率IC、IPM、光继电器（PhotoMOS）产品的领先优势，挖掘高性能智能功率半导体的发展潜力，打造全系列产品的技术创新平台，致力于成为市场一流的高性能、智能化功率半导体供应商。
SiC功率器件研发升级项目主要涉及650V-1700VSiCMOSFET、650V1700VSiCSBD工艺优化、器件升级及SiC功率模块的规模化量产。锴威特牢牢把握国产化替代机遇，通过该项目的成果转化，推进新研发的高性能SiC功率器件的量产进程。值得一提的是，报告期内，公司已掌握了SiC功率器件核心技术，完成了代表产品的研制，并已初步实现了市场布局，产品已得到高可靠领域客户的认证和采购。
而功率半导体研发工程中心升级项目则依托公司在功率器件、功率IC、IPM及光继电器（PhotoMOS）产品研发方面的经验积累，对功率半导体研发工程中心进行升级，具体包括对功率半导体器件和模块封装可靠性、SiC高温封装应用、基于SiCMOSFET制作光继电器（PhotoMOS）以及数字电源进行持续深入研究；升级建设可靠性实验室和测试应用中心。通过实施该项目，公司将打造功率半导体器件测试及可靠性考核平台，通过增加相关的检测分析设备投入，持续优化实验环境，提升测试与可靠性分析的能力和效率，进一步保障产品质量、吸引高端人才，实现技术的升级和专业人才的培养，从而促进公司主营业务高质量发展。
对于未来，锴威特表示将继续专注于功率半导体的设计、研发与销售，坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，在新能源汽车、光伏能源、轨道交通、智能电网等领域展开布局；在目前掌握的核心技术基础上，展开产品系列化及下游市场的进一步拓展、延伸。相信此次上市，将为锴威特带来更多发展机遇，不断提升其市场竞争力。