天合光能申请专利“TOPcon太阳电池及其制备方法”

　　天合光能申请一项专利名为“TOPcon太阳电池及其制备方法”，公开号CN118073470A，申请公布日期为2024年5月24日。

　　

　　专利摘要显示，本发明公开了一种TOPcon太阳电池及其制备方法。制备方法包括如下步骤：对硅衬底进行双面清洗、制绒；对正面进行硼扩散处理形成第一掺杂层，对正面栅线位置进行激光掺杂形成重掺杂层；对正面进行高温氧化推进PN结，并在正面形成掺杂氧化层BSG；去除背面绕镀的掺杂氧化层BSG后，对背面进行抛光处理；对背面进行磷扩散处理形成第二掺杂层；对背面制备隧穿层和多晶硅层，高温退火修复失配晶格使多晶硅层晶化形成固定晶向；去除硅衬底正面绕镀的第二掺杂层以及绕镀的多晶硅层；在硅衬底正面制备第一钝化层，在硅衬底背面制备第二钝化层；以及在正面、背面分别制备电极。本发明能够增加隧穿层下隧穿粒子浓度，提升电池片效率。