天合光能申请硅基异质结太阳能电池专利，实现电池效率的提升

　　2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，天合光能股份有限公司申请一项名为“硅基异质结太阳能电池、制备方法、用电设备及应用“，公开号CN117525196A，申请日期为2023年11月。

　　专利摘要显示，本申请涉及一种硅基异质结太阳能电池、制备方法、用电设备及应用，硅基异质结太阳能电池包括沿第一方向依次设置的硅基底、第一钝化层、N型掺杂层和第一透明电极，其中，第一方向为硅基底的厚度方向中自硅基底指向第一透明电极的方向；N型掺杂层包括沿第一方向依次设置的如下多个子层：无氧种子层、含氧种子层、含氧主体层和无氧接触层。通过N型掺杂层的优化设计，不影响N型掺杂层的导电性而且不带来额外的载流子复合，整体工艺简单，制备得到的太阳能电池可以在保持填充因子的前提下提高电流密度，实现电池效率的提升。将该硅基异质结太阳能电池在光伏应用中可以较高效率地利用光能。