天合光能申请太阳能电池及其制备方法专利，减轻刻蚀剂对掩膜层的腐蚀作用

　　据国家知识产权局公告，天合光能股份有限公司申请一项名为“太阳能电池及其制备方法“，公开号CN117423782A，申请日期为2023年11月。

　　专利摘要显示，本发明涉及一种太阳能电池及其制备方法。上述制备方法在电池主体上形成第一功能层，覆盖掩膜层后对第一功能层进行刻蚀处理，以在第一功能层上形成开口，沉积电极层并去除掩膜层后，再在第一功能层上形成第二功能层，使功能层达到所需的厚度。此种制备方法将功能层分阶段进行制备，刻蚀处理仅刻蚀功能层的一部分，即第一功能层，相较于传统制备方法减少了刻蚀处理所需刻蚀的功能层厚度。因此，可以通过降低刻蚀剂浓度、缩减刻蚀处理的时间等方式，减轻刻蚀剂对掩膜层的腐蚀作用，减少掩膜层在刻蚀处理的过程中发生局部脱落的情况，使掩膜层能够起到良好的掩膜作用。