天合光能申请太阳电池制备方法专利，有助于降低太阳电池破碎的风险

　　2024年1月19日消息，据国家知识产权局公告，天合光能股份有限公司申请一项名为“太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统“，公开号CN117423762A，申请日期为2023年12月。

　　专利摘要显示，本申请涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统。太阳电池包括：半导体基底，包括相对设置的第一面和第二面；半导体基底上设有沿第一方向间隔排布第一导电区和第二导电区；第一方向垂直于半导体基底的厚度方向；第一导电类型的第一发射极，设于第一面上；第一发射极上设有沟槽，沟槽将第一发射极分割为位于第一导电区的第一子发射极和位于第二导电区的第二子发射极；以及第二导电类型的第二发射极，设于第一面上，且位于第二导电区；第二发射极与第二面的距离小于第一发射极与第二面的距离。本申请有利于降低沟槽的深度，从而有利于提高太阳电池的结构强度，降低太阳电池破碎的风险。