高华科技取得MEMS压阻式压力传感器及其制备方法专利，有效地缩小MEMS压阻式压力传感器的尺寸并提升其灵敏度

　　据国家知识产权局公告，南京高华科技股份有限公司取得一项名为“一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法“，授权公告号CN115165174B，申请日期为2022年8月。

　　专利摘要显示，本发明提供一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，MEMS压阻式压力传感器包括衬底、第一氧化层、第二氧化层和压敏电阻；所述第一氧化层包括第一区域和第二区域，所述第一区域位于所述第一平面的上方并平行于所述第一平面；所述第二区域的一端连接所述衬底，另一端连接所述第一区域；所述衬底、所述第一区域、所述第二区域之间围合构成中空的腔室，且至少部分所述第二区域倾斜设置；在所述第一氧化层和所述第二氧化层之间夹设所述压敏电阻，且所述压敏电阻沿所述第二区域的倾斜面敷设。本发明的一个技术效果在于，结构设计合理，不仅能够有效地缩小MEMS压阻式压力传感器的尺寸，还有助于提升MEMS压阻式压力传感器的灵敏度。