来源 :金融界2023-12-25
2023年12月25日消息，据国家知识产权局公告，绍兴中芯集成电路制造股份有限公司取得一项名为“一种台面无损伤的屏蔽栅场效应晶体管的制造方法“，授权公告号CN113745100B，申请日期为2021年7月。
专利摘要显示，本发明公开一种台面无损伤的屏蔽栅场效应晶体管的制造方法，该方法包括以下步骤：一，提供衬底，在衬底顶表面上设置掩模层，掩模层从下至上依次包括衬底氧化层、第一掩模层和第二掩模层，在掩模层的开口处向下刻蚀衬底，形成沟槽；二，在沟槽底部和侧壁处形成第一介质层；三，在沟槽内形成屏蔽电极层；四，制作隔离层；五，在隔离层上方的沟槽侧壁处形成第二介质层；六，在沟槽内的隔离层上方形成栅电极层；步骤二完成后，第一掩模层的侧壁超出沟槽侧壁；在步骤四中，将氧化硅沉积在沟槽内；而后通过研磨将沉积的氧化硅层与第一掩模层平齐；最后，刻蚀氧化硅，完成隔离层制作。该制造方法具有制成的台面顶部形貌平坦可控的特点。