中芯集成-U申请电流软失效分析专利，可大大节省封装成本

　　据国家知识产权局公告，绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请一项名为“一种功率器件的漏源极漏电流的软失效分析方法”，公开号CN117153710A，申请日期为2023年8月。

　　专利摘要显示，本发明提供的一种功率器件的漏源极漏电流的软失效分析方法，包括提供裸芯片，裸芯片包括正面和背面，包括衬底，位于衬底一侧的MOS管、第一金属层和钝化层，位于衬底另一侧的第二金属层，第二金属层包括连接MOS管漏极的漏极焊盘，第一金属层包括源极焊盘及栅极焊盘，钝化层暴露出源极焊盘和栅极焊盘；从背面一侧去除漏极焊盘，暴露出衬底靠近背面的表面，在正面形成正面焊盘和塑封层，塑封层覆盖正面和正面焊盘，正面焊盘外侧围设有塑封层；从背面对裸芯片进行失效定位，在芯片背面分析过程中，通过在正面上形成正面焊盘和塑封层替代了现有技术中的封装，大大节省了封装成本、提高了裸芯片的失效分析时效性。