复旦微电取得半导体单元器件专利，降低ECO成本

　　据国家知识产权局公告，上海复旦微电子集团股份有限公司取得一项名为“半导体单元器件“，授权公告号CN113764410B，申请日期为2020年6月。

　　专利摘要显示，一种半导体单元器件，包括：电源区、PMOS管、NMOS管、接地区、输出端、金属连接层，金属连接层包括第一金属互连线及第二金属互连线，其中，PMOS管的源极与电源区耦接，栅极与第一金属互连线耦接；NMOS管的源极与接地区耦接，栅极与第一金属互连线耦接；输出端与第二金属互连线耦接；第一金属互连线上设置有可配置的第一通孔结构，以将第一金属互连线连接于选定的第一对象；第二金属互连线上设置有可配置的第二通孔结构，以将第二金属互连线连接于选定的第二对象，以使得第二对象与输出端导通。上述方案，在流片后需要更改半导体单元器件的输出逻辑时，无需进行ECO绕线，既可以实现半导体单元器件的输出逻辑的更改，故，可以降低ECO成本。