敏芯股份申请微流道芯片制造方法专利，增强了微流道的结构强度

　　2024年1月13日消息，据国家知识产权局公告，苏州敏芯微电子技术股份有限公司申请一项名为“一种微流道芯片的制造方法”，公开号CN117380295A，申请日期为2023年12月。

　　专利摘要显示，本发明提供了一种微流道芯片的制造方法，方法包括：提供包括多个微流道芯片的半导体晶片，每个微流道芯片包括层叠设置的保护层和结构层，结构层具有微流道结构；在相邻两个微流道芯片之间的切割道位置，对半导体晶片的保护层进行包括激光诱导深度刻蚀技术、或激光直写技术的第一划片工艺，以去除部分厚度的保护层形成第一子凹槽；在第一子凹槽处进行包括干法刻蚀技术的第二划片工艺，去除剩余厚度的保护层形成第二子凹槽，以及结合深硅刻蚀工艺刻穿结构层，以得到分离的微流道芯片。本发明最大程度减少了碎渣颗粒的产生，且保证切割道上下近似平直、宽度也基本一致，增强了微流道的结构强度，提高了微流道芯片使用寿命。