东微半导获得发明专利授权：“IGBT器件及其制造方法”

　　数据显示东微半导（688261）新获得一项发明专利授权，专利名为“IGBT器件及其制造方法”，专利申请号为CN202111576883.7，授权日为2026年4月7日。

　　专利摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种IGBT器件及其制造方法，IGBT器件包括元胞区和终端区，元胞区包括：p型集电极区；位于p型集电极区之上的n型半导体层；位于n型半导体层内的若干个栅沟槽；位于栅沟槽的下部内的屏蔽栅和位于栅沟槽的上部内的栅极，栅极、屏蔽栅与所述n型半导体层之间互相绝缘隔离；位于所述n型半导体层内且介于相邻的所述栅沟槽之间的p型体区，所述p型体区内设有n型发射极区；位于所述n型半导体层内且介于相邻的所述屏蔽栅之间的n型电荷存储区，其中部分所述屏蔽栅之间设有n型电荷存储区，n型电荷存储区设置于p型体区邻近p型集电极区的一侧，且部分屏蔽栅之间未设有n型电荷存储区。

　　今年以来东微半导新获得专利授权4个，较去年同期增加了300%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了4223.04万元，同比增8.89%。

　　通过大数据分析，苏州东微半导体股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目15次；财产线索方面有商标信息31条，专利信息153条，著作权信息1条；此外企业还拥有行政许可9个。