东微半导：12英寸制造设备更先进稳定，积极布局第六代超级结MOSFET研发工作

　　9月5日消息，东微半导披露投资者关系活动记录表显示，公司8英寸到12英寸的扩产，在产品性能可以对齐8英寸的前提下，晶圆代工厂12英寸制造设备更为先进和稳定，工艺窗口可以做的更为极致，在可靠性及性能上可以比8英寸更加稳定及优化。公司积极布局对齐国际一线品牌最新最优性能产品的第六代超级结MOSFET的研发工作。在第三代半导体方面，SiC MOSFET已批量出货，Si2C MOSFET持续保持出货。公司投资的产业基金主要对半导体行业及新能源等半导体产业链上下游相关领域的企业和基金进行投资，投资项目涉及第三代半导体材料、高端深度特色工艺晶圆厂、IGBT模块、车规级高可靠性集成方案以及光伏逆变器企业等。