晶合集成：55nm单芯片、高像素背照式图像传感器已量产，40nm高压OLED预计2024年二季度小批量量产

　　5月8日消息，晶合集成披露投资者关系活动记录表显示，公司55nm的单芯片、高像素背照式图像传感器（BSI）已量产；40nm高压OLED已成功点亮面板，预计2024年二季度小批量量产。未来OLED市场增长主要受益于终端市场需求提升和国产化替代。从营收占比看，国内与国外客户各占一半，无较大变动。未来公司仍将深耕12英寸晶圆代工业务，保持显示驱动领域的优势地位，建立以DDIC、CIS、PMIC、MCU、Logic五大产品为主轴的产品矩阵，致力于研发并应用行业先进的不同工艺，为客户提供多种制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务。公司产品陆续通过车规级认证，公司将加快产品量产。公司积极履行环境责任，采用国内国际先进污染处理设施，有效减少污染物排放，2023年污染物处理设施运行状况良好。