晶合集成5000万像素CIS量产

　　4月9日，晶合集成宣布，继90纳米CIS和55纳米堆栈式CIS实现量产之后，晶合集成CIS再添新产品。近期，晶合集成55nm单芯片、高像素背照式（BSI）图像传感器量产，赋能智能手机的不同应用场景，实现由中低端向中高端应用跨越式迈进。

　　

　　据了解，晶合集成是中国大陆第三大晶圆代工厂，成立于2015年，由合肥建投和力晶科技共同创立，主要从事12英寸晶圆代工业务，已于2023年5月在上交所科创板挂牌上市，是安徽省首家成功登陆资本市场的纯晶圆代工企业。

　　近年来，5000万像素CIS在智能手机配置中加速渗透。

　　晶合集成表示，其与国内设计公司合作，基于自主研发的55nm工艺平台，使用BSI工艺技术复合式金属栅栏，不仅提升了产品进光量，还兼具高动态范围、超低噪声、PDAF相位检测对焦等优势。此外，该技术采用单芯片技术架构，既减少芯片用量，也缩短了芯片生产周期，同时将像素规格微缩20%，像素尺寸达到0.702μm，整体像素提高至5000万水准，将广泛应用在智能手机主摄、辅摄及前摄镜头等。

　　晶合集成规划CIS产能将在今年内倍速增长，出货量占比显著提升,成为显示驱动芯片之外的第二大产品主轴。