晶合集成申请半导体器件的制备方法专利，通过氧化隔离块抑制离子向沟道扩散且降低漏端电场强度

　　据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件的制备方法“，公开号CN117766569A，申请日期为2024年2月。

　　专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有栅极，以及栅极上形成有掩膜层；形成第一侧墙覆盖栅极及掩膜层的侧面；形成第一氧化层填充覆盖至栅极的上方，且第一氧化层的表面与掩膜层的表面齐平以显露出第一侧墙；执行刻蚀工艺刻蚀去除第一侧墙及第一侧墙正下方的部分衬底，以在衬底中形成凹槽；以及，去除第一氧化层，执行热氧化工艺形成第二氧化层填充凹槽且延伸覆盖衬底的表面，以凹槽中的第二氧化层作为氧化隔离块，氧化隔离块位于栅极两侧的衬底内；本发明通过氧化隔离块抑制离子向沟道扩散且降低漏端电场强度，改善热载流子效应。