晶合集成申请半导体器件制备方法专利，提高半导体器件的制备效率

　　2024年3月25日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件的制备方法“，公开号CN117747536A，申请日期为2024年2月。

　　专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件的制备方法，包括：在半导体层中形成掺杂区；在半导体层的第一表面形成绝缘层，并且形成从绝缘层远离半导体层的表面延伸至半导体层内部的沟槽，沟槽包括上部、下部以及上部和下部之间的顶角，掺杂区与沟槽邻接；形成第一氧化层、隔离层以及第二氧化层，所述第一氧化层覆盖所述沟槽下部的内壁以及所述顶角，所述隔离层共形地覆盖所述第一氧化层以及所述上部的内壁，所述第二氧化层覆盖所述隔离层，并且填充所述沟槽；以及去除沟槽的上部内的第二氧化层和部分的绝缘层；其中，在形成第二氧化层之后，或者在去除沟槽的上部内的第二氧化层和部分的绝缘层之后还包括对沟槽的顶角进行离子注入的步骤。