晶合集成申请浅沟槽隔离结构、半导体结构及制备方法专利，修正阈值电压效果好

　　2024年3月23日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“浅沟槽隔离结构、半导体结构及制备方法“，公开号CN117747535A，申请日期为2024年2月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种浅沟槽隔离结构、半导体结构及制备方法，本发明利用现有技术中制备阱区时的离子注入设备，在制备浅沟槽隔离结构过程中的台阶调整之后，注入一定浓度的B离子到AA corner，之后移除垫氮化层，在半导体衬底上得到若干浅沟槽隔离结构。通过若干浅沟槽隔离结构将半导体衬底分隔成若干N型或者P型有源区，根据设计对有源区进行源区、漏区、沟道和栅极制备，形成NMOS或者PMOS。由于本发明提前在设计为NMOS区域四周的浅沟槽隔离结构内注入B离子，使得后续在该有源区制备阱区时，能够避免有源区AA与STI搭界处的B离子析出至STI中，导致NMOS的阈值电压Vt无法满足设计要求的问题。本发明改造成本低廉，修正阈值电压效果好，具体较大的实用价值。