晶合集成取得CN117420724B专利，提高半导体产品的良率

　　据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司取得一项名为“一种掩膜版结构及其拐角边缘放置误差值的统计方法“，授权公告号CN117420724B，申请日期为2023年12月。

　　专利摘要显示，本发明提供一种掩膜版结构及其拐角边缘放置误差值的统计方法，掩膜版结构包括：掩膜版主体；多个主图形，设置于所述掩膜版主体上，在一组主图形中，多个主图形沿所述掩膜版主体的横向方向上布置，相邻两个主图形在所述掩膜版主体的纵向方向上存在间距；以及多个辅助图形，设置于每个所述主图形的周围，每个所述辅助图形设有孔洞；其中，在一组主图形中，每个主图形与两个辅助图形对应，两个所述辅助图形关于其对应的所述主图形对称设置。本发明可提高掩膜版结构在曝光处理后通孔的真圆度，提高通孔和金属层的接触面积，并提高半导体产品的良率。