晶合集成申请半导体结构制作方法专利，能够提高半导体结构的性能

　　金融界2024年3月4日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制作方法“，公开号CN117637597A，申请日期为2024年1月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构的制作方法，属于半导体技术领域，所述制作方法至少包括：提供一衬底，在所述衬底上依次形成垫氧化层和垫氮化层；蚀刻部分所述垫氧化层、所述垫氮化层和所述衬底，形成浅沟槽；在所述浅沟槽内沉积绝缘介质，所述浅沟槽内的所述绝缘介质与两侧的所述垫氮化层齐平；回刻所述绝缘介质，形成第一凹部；在所述第一凹部和所述垫氮化层上形成补偿层；氧化所述补偿层，形成氧化层；平坦化所述氧化层，暴露所述垫氮化层；去除所述垫氮化层；以及去除所述垫氧化层和部分所述氧化层。通过本发明提供的一种半导体结构的制作方法，能够避免在浅沟槽隔离结构的角边缘出现凹陷现象，提高半导体结构的性能。