晶合集成取得半导体器件及其制备方法专利，改善电阻Rc并提高良率

　　2024年2月29日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司取得一项名为“一种半导体器件及其制备方法“，授权公告号CN117438297B，申请日期为2023年12月。

　　专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的制备方法包括以下步骤：提供一半导体衬底，半导体衬底包括相对设置的正面和背面，在正面的半导体衬底中形成有非晶态硅区域；在非晶态硅区域的半导体衬底上形成镍膜层；从正面对半导体衬底进行两次高温退火工艺，以在非晶态硅区域的大部分中得到初始的镍硅化合物层；从背面对所述半导体衬底进行激光退火工艺，以在整个非晶态硅区域得到最终的镍硅化合物层。本发明在两次高温退火工艺之后再从背面执行一次激光退火工艺可以更好的吸收热量，以修复晶格，其相对于正面加热，背面加热可以更好的抑制镍的进一步扩散，阻止过度硅化，从而可以减少缺陷，改善电阻Rc，并提高良率。