晶合集成申请图像传感器专利，提高图像传感器的成像质量

　　2024年2月26日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“图像传感器的制作方法及图像传感器“，公开号CN117594621A，申请日期为2024年1月。

　　专利摘要显示，本公开涉及一种图像传感器的制作方法及图像传感器，图像传感器的制作方法，包括以下步骤：提供基底；在基底上形成第一氮化硅层，第一氮化硅层包括氢离子，第一氮化硅层中氢离子的质量含量低于1%，形成第一氮化硅层之后的结构具有第一应力；在第一氮化硅层上形成第二氮化硅层，第二氮化硅层具有第二应力，第二应力和第一应力相反。本公开的图像传感器的制作方法及图像传感器，减少了第一氮化硅层的游离的氢离子，避免游离的氢离子损伤基底的表面，同时第二应力和第一应力相反，减小了基底上的叠层对基底表现出的应力，从而降低图像传感器的暗电流、减小白点缺陷，提高了图像传感器的成像质量。