晶合集成申请半导体结构的制作方法及其结构专利，提高了图像传感器的感光性能

　　2024年2月21日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制作方法及其结构“，公开号CN117577658A，申请日期为2024年1月。

　　专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构的制作方法及其结构，包括：提供衬底，衬底内形成有多个间隔排列的浅沟槽隔离结构，且浅沟槽隔离结构的顶面与衬底的第一表面齐平；于衬底的第二表面上形成保护层；于衬底和保护层内形成多个与浅沟槽隔离结构相对应的隔离结构；隔离结构外凸于保护层，且外凸于保护层的部分隔离结构为复合格栅，位于保护层及衬底内的部分隔离结构为深沟槽隔离结构；去除保护层以及部分衬底，以露出各深沟槽隔离结构；于各深沟槽隔离结构之间的衬底上形成多层功能层，各多层功能层的材料不同；其中，复合格栅外凸于多层功能层。本申请先形成隔离结构再采用回刻衬底并依次沉积功能层以形成感光区的制作方法，提高了图像传感器的感光性能。