晶合集成申请半导体结构专利，能够形成稳定可靠的像素结构

　　据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制造方法“，公开号CN117393502A，申请日期为2023年12月。

　　专利摘要显示，本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包括：衬底；第一阻挡层，设置在衬底中，且第一阻挡层将衬底划分为逻辑区和像素区；深沟槽隔离结构，设置在像素区，深沟槽隔离结构连接于第一阻挡层；介质层，设置在像素区上，介质层覆盖衬底的表面；隔离结构，设置在介质层中，隔离结构设置在深沟槽隔离结构上，且隔离结构在介质层中划分出多个透光通道；以及组合掺杂区，设置在像素区中，组合掺杂区设置在透光通道的覆盖区域。本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，能够形成稳定可靠的像素结构，降低暗电流，并提升半导体制程良率。