晶合集成申请半导体专利，简化了提高刻蚀选择比的方法

　　据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构减薄方法及结构“，公开号CN117373915A，申请日期为2023年12月。

　　专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构减薄方法及结构，包括：提供承载晶圆及器件晶圆，器件晶圆包括掺杂衬底及位于掺杂衬底的正面的外延层及器件层，将器件层的顶面与承载晶圆的正面键合，然后沿垂直衬底方向去除器件晶圆中掺杂衬底的主体部分，得到残存掺杂衬底，其中，掺杂衬底的主体部分的厚度大于掺杂衬底的厚度的一半，在常温下经由残存掺杂衬底的顶面注入热辐射波，使得残存掺杂衬底的温度升高至目标温度，并使得器件晶圆的外延层保持常温，最后湿法刻蚀并去除残存掺杂衬底，提高了刻蚀选择比，简化了提高刻蚀选择比的方法，降低背照式半导体结构中刻蚀的经济成本的同时还可减少对环境的污染。