晶合集成申请掩膜版专利，有效降低半导体结构发生“断路”概率

　　2024年1月6日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“掩膜版、光学临近修正方法、装置及电子设备“，公开号CN117348333A，申请日期为2023年12月。

　　专利摘要显示，本发明提供了一种掩膜版、光学临近修正方法、装置及电子设备，应用于半导体技术领域。具体的，先是对测试版图中的线条端点图形进行多次第一移动量的初始光学临近修正，直至线条端点图形的边缘位置误差小于第一阈值时停止，之后再通过引入一新的评价函数，即以线条端点图形的第一仿真图形和目标图形为基础构建一凹陷区域，然后利用该凹陷图形的面积与第二阈值的关系，筛选出线条端点图形发生pinch问题的线边，并对其进行第二移动量的线边移位调整，从而实现了在减少或最多执行预先设定的修正迭代的总次数内就可有效的降低掩膜版上的线条端点图形在硅片上所形成的半导体结构发生“断路”（pinch）的概率，进而实现提高OPC修正的精度和效率。