来源 :金融界2023-12-16
金融界2023年12月16日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“改善晶圆边缘环状缺陷的方法“，公开号CN117238743A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种改善晶圆边缘环状缺陷的方法，包括：在反应腔室内壁及内部部件表面形成保护膜；将待刻蚀晶圆放置于反应腔室内的静电吸盘上；向反应腔室内通入反应气体；开启射频，在反应腔室内形成等离子体与离子鞘；开启高电压，静电吸盘吸附待刻蚀晶圆；向待刻蚀晶圆背面通入制冷气体。本发明在反应腔室内壁及内部部件表面形成保护膜，能够减少刻蚀过程中金属离子掉落到晶圆上的风险，并且先开启射频，再开启高电压，最后向晶圆背面通入制冷气体，制冷气体开启造成带正电的粉尘飞扬，由于等离子体与离子鞘的存在，粉尘无法进入晶圆上方，从而能够防止粉尘掉落在晶圆上，从而能够改善晶圆边缘的环状缺陷，提高晶圆良率，减少晶圆报废的风险。