晶合集成申请背照式图像传感器专利，提高器件感光度和光吸收量

　　据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“背照式图像传感器及制备方法、深沟槽隔离结构制备方法“，公开号CN117238840A，申请日期为2023年11月。

　　专利摘要显示，本发明提供背照式图像传感器及制备方法、深沟槽隔离结构制备方法中，通过执行刻蚀工艺在衬底的背面的第一介质层内形成开口，并刻蚀衬底以在衬底内形成深沟槽，深沟槽自开口向衬底延伸；意想不到的效果是，利用PECVD工艺形成的第二介质层较差的填洞能力，率先将深沟槽的开口堵塞住，使开口提前封口，结合HARP工艺形成第三介质层将开口的凹陷进行优化，省略传统制程中为膜层平坦化而需要的化学机械研磨工艺，从而保持材料表面的完整性，提高器件的感光度和光吸收量，从而进一步提升背照式图像传感器的像素功能。