来源 :金融界2023-12-04
金融界2023年12月4日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种背照式图像传感器的半导体结构及其制作方法“，公开号CN117153855A，申请日期为2023年10月。
专利摘要显示，本发明公开了一种背照式图像传感器的半导体结构及其制作方法，属于半导体技术领域。所述背照式图像传感器的半导体结构包括：衬底；多个深沟槽，设置在所述衬底内；内衬氧化层，设置在所述深沟槽的侧壁和底部以及所述衬底上；高介电介质层，设置在所述内衬氧化层上；第一氧化层，设置在所述高介电介质层上，所述第一氧化层填充至所述深沟槽的顶部，且所述第一氧化层在所述深沟槽内形成空气间隙，所述空气间隙的顶部低于所述深沟槽的顶部；第二氧化层，形成在所述第一氧化层上，所述第一氧化层和所述第二氧化层结合后压力类型为压应力。通过本发明提供的一种背照式图像传感器的半导体结构及其制作方法，可以改善衬底与膜层表面的气泡缺陷。