晶合集成申请一种新型半导体制造技术专利，提高半导体器件的性能

　　据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制作方法“，公开号CN117153866A，申请日期为2023年10月。

　　专利摘要显示，本发明公开一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域，半导体器件包括：衬底，包括第一区域和第二区域；浅沟槽隔离结构，设置在第一区域和第二区域之间；第一内衬氧化层，设置在靠近第一区域两侧浅沟槽隔离结构的内壁上，所述第一内衬氧化层通过第一退火后存在压应力；第二内衬氧化层，设置在靠近第二区域两侧浅沟槽隔离结构的内壁上，所述第二内衬氧化层通过第二退火后存在拉应力；栅极结构，设置在第一区域和第二区域上；源掺区和漏掺区，分别设置在栅极结构两侧衬底内；应力氮化层，设置在第二区域上的栅极、侧墙结构和衬底上。通过本发明提供的一种半导体器件及其制作方法，可以提高半导体器件的性能。