晶合集成取得半导体结构专利，能够提高半导体结构的可靠性

　　据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司取得一项名为“一种半导体结构及其制备方法“，授权公告号CN116799005B，申请日期为2023年8月。

　　专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构，包括：衬底；栅极结构，形成于所述衬底上；侧墙结构，形成于所述衬底上，所述侧墙结构包括多个侧墙层，所述侧墙层位于所述栅极结构的外围；以及源极结构与漏极结构，形成于所述衬底上，所述源极结构与所述漏极结构位于所述侧墙结构的两侧；其中，相邻两个所述侧墙结构之间的间距大于所述源极结构和/或所述漏极结构的长度。通过本发明公开的一种半导体结构及其制备方法，能够提高半导体结构的可靠性。