晶合集成取得半导体专利，提高半导体集成器件的设计多元化

　　据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司取得一项名为“一种半导体集成器件及其制作方法“，授权公告号CN116799004B，申请日期为2023年8月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种半导体集成器件及其制作方法，属于半导体技术领域。所述半导体集成器件包括：衬底，包括多个有源区；浅沟槽隔离结构，设置在所述有源区之间，所述浅沟槽隔离结构包括第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构，所述第一浅沟槽隔离结构高出所述衬底表面，所述第二浅沟槽隔离结构低于所述衬底表面；晶体管，设置在所述有源区上；金属电阻器，设置在所述第一浅沟槽隔离结构上；以及多晶硅电阻器，设置在所述第二浅沟槽隔离结构上。通过本发明提供的一种半导体集成器件及其制作方法，提高半导体集成器件的设计多元化，并提高半导体集成器件的性能。