来源 :金融界2023-11-29
2023年11月29日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司取得一项名为“一种半导体存储器件及其制作方法“，授权公告号CN116779653B，申请日期为2023年8月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体存储器件及其制作方法，属于半导体技术领域，所述半导体存储器件包括：衬底，所述衬底包括第一半导体层、埋氧层和第二半导体层，所述第一半导体层设置在所述埋氧层上，所述埋氧层设置在所述第二半导体层上；栅极结构，设置在所述第一半导体层上；源掺杂区，设置在所述栅极一侧的所述衬底上；漏掺杂区，设置在所述栅极另一侧的所述衬底上；以及空隙区，设置在所述漏掺杂区下方的所述第二半导体层中，并朝所述栅极结构下方延伸，所述空隙区与所述栅极结构交叠预设长度。通过本发明提供的一种半导体存储器件及其制作方法，提高半导体存储器件的性能。