来源 :金融界2023-11-29
金融界2023年11月29日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司取得一项名为“一种半导体结构的制作方法“，授权公告号CN116779544B，申请日期为2023年8月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成结构层；在所述衬底远离所述结构层一侧的表面上形成牺牲氧化层；刻蚀部分所述牺牲氧化层和部分所述衬底，形成深沟槽；界面修复处理所述深沟槽，并去除所述牺牲氧化层；在所述衬底以及所述深沟槽的底部和侧壁上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成第二介质层；以及在所述第二介质层上沉积绝缘介质。通过本发明提供的一种半导体结构的制作方法，能够降低包括半导体结构的半导体器件的暗电流，提高半导体器件的性能。