来源 :山东天岳先进科技股份有限公司2024-06-04
5月15日,山东天岳先进科技股份有限公司(下称“天岳先进”或“公司”)召开了创新与知识产权管理能力分级评价启动会,成为济南首家启动基于ISO 56005国际标准的创新与知识产权管理能力分级评价的企业。
启动会现场
01企业简介
天岳先进成立于2010年,是致力于宽禁带半导体碳化硅晶体衬底的研发、生产及销售的企业,是我国宽禁带半导体材料领域的领军企业,掌握了碳化硅衬底制备的全流程核心关键技术,并已跻身全球第一梯队,产品经英飞凌、博世等国际知名半导体企业验证,质量优异、性能可靠。
天岳先进秉承“先进·品质·持续”的经营理念,坚持自主创新,技术不断突破。公司建有“碳化硅半导体材料研发技术”国家地方联合工程研究中心、国家博士后工作站、山东省碳化硅材料重点实验室等多个国家级及省市级科研平台;承担了20余项国家研发与产业化重大任务,获得国家科技进步一等奖(非公开)、山东省科技进步一等奖、山东省技术发明一等奖、山东省专利奖、济南市科技进步奖、济南市专利奖;是国家专精特新“重点”小巨人企业、国家制造业单项冠军示范企业、国家知识产权示范企业、国家碳达峰“领跑者”企业。2023年9月,在第12届中国知识产权年会上,作为省内优秀企业代表,公司董事长宗艳民受邀在年会开幕式上做主旨发言。
02
创新产品
天岳先进依托卓越的研发团队和多年积累的产业化经验,重视技术引领、长期坚持创新,公司生产的碳化硅产品包括半绝缘型和导电型碳化硅衬底,主要用于微波电子、电力电子等领域,处于宽禁带半导体产业链的前端,是芯片、电子器件等基础性的核心关键材料。根据国际权威的市场研究及咨询机构 Yole 的统计,2019年-2022年,天岳先进(SICC)已连续四年跻身半绝缘型碳化硅衬底市场的世界前三;据日本富士经济统计,2023年天岳先进的导电型衬底全球市占率超越美国高意,跃居全球第二。
天岳先进积极布局前瞻性技术。公司采用液相法制备出了低缺陷的8英寸晶体,通过热场、溶液设计和工艺创新突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题,尚属业内首创。在大尺寸单晶高效制备方面,公司最新技术制备的晶体厚度已突破60mm,对相关产品的产能提升具有重要意义。
03
创新与知识产权管理
在坚持自主创新的同时,天岳先进搭建并不断完善知识产权管理体系,对知识产权管理也给予了高度重视。公司设有知识产权部门,配有知识产权专兼职人员,提高全员知识产权保护意识及积极性,建立健全各项知识产权管理制度,针对知识产权风险点有规划地稳步提升风险管控能力,于2016年就顺利通过了中知(北京)认证有限公司的知识产权管理体系认证并保持至今。
在运用专利布局保护创新成果方面,天岳先进也一直走在行业前列。国际知名专利分析机构Knowmade发布的针对碳化硅(SiC)产业链知识产权的报告,从衬底、外延到器件、模块各环节梳理了不同国家厂商与研究机构专利布局。在碳化硅半导体衬底领域,天岳先进(SICC)的专利位列全球前五(详见下图1),国内第一(详见下图2)。
图1
图2
近几年,随着不断发展壮大,公司对创新及知识产权管理的融合需求也日益提高,在创新过程中及时发现知识产权管理的问题及薄弱环节,持续加强研发过程中的知识产权风险管控,已成为未来公司管理升级的重点方向。为实现实现管理升级的目标,公司启动了基于ISO 56005国际标准的创新与知识产权管理能力分级评价,并邀请中知公司作为管理线的评价机构为公司提供助力。
未来,天岳先进将继续砥砺奋进,坚持自主创新,深耕宽禁带半导体领域,积极开拓蓝海市场、强化创新与知识产权管理,通过知识产权创造、运用打破国外垄断,稳固核心竞争力,为中国高科技制造业的繁荣发展贡献力量!