天岳先进：导电型碳化硅衬底市占率全球第二

　　2月18日，中国碳化硅衬底企业迎来好消息。日本权威行业调研机构富士经济公布了《2024年版新一代功率器件&相关市场现状和展望》报告，围绕世界SiC/GaN的最新动向以及材料供不应求角度展开了分析和预测。据报告测算，2023年全球导电型碳化硅衬底材料市场占有率前三的公司有1家来自中国，天岳先进（SICC）超过高意(Coherent)跃居全球第二。Wolfspeed连续多年市占率第一，但受到来自其他衬底公司的竞争压力，占比持续下滑。

　　报告指出，在电动汽车、电力设备以及能源领域驱动下，SiC功率器件市场需求整体坚挺， 2030年SiC功率器件市场规模将达到近150亿美元，占到整体功率器件市场约24%，2035年则有望超过200亿美元，届时SiC器件市场规模将占到整体功率器件的40%以上。为此，业内主要厂家都在积极进行扩建以及做好设备投资的准备，特别是中国企业，除满足本国需求外，开始不断扩张世界范围内的市场占有率。其中备受关注的依然是衬底材料。

　　根据报告分析，全球SiC衬底销售主要分布在四大市场：日本17.4%、中国24.4%、北美20%、欧洲29%。欧洲已成为全球最大的SiC衬底市场，报告指出：天岳先进先后和英飞凌以及博世签订了长期供应协议，2023年和英飞凌签订了新的供应协议。

　　据了解，天岳先进在导电型碳化硅衬底产能和规模化供应能力上持续展现超预期成果。通过与英飞凌、博世集团的长期供应协议，天岳先进在技术实力和规模化供应能力上展现突出优势，推动业绩快速增长。销售规模持续扩大的基础，来自于该公司以技术为支撑的产能提升上的良好进展。2023年5月天岳先进上海工厂启用，目前仍处于产能提升阶段。

　　天岳先进长期专注SiC衬底积累的技术实力，在产能和客户端已形成了独有的优势。继半绝缘型碳化硅衬底市占率连续4年位居全球前三以来，导电型衬底市占率提升至世界第二也得益于长期的技术积累。该公司在8英寸产品上也处于领先地位。

　　功率半导体行业在低碳化和电气化时代将继续获得蓬勃的发展动力，以碳化硅为代表的宽禁带半导体材料和器件将继续成为这一领域关注的焦点。稳定的供应和质量保障成为占领市场高地的重要抓手，我们期待中国企业在世界半导体行业取得更耀眼的成绩。