来源 :上证e互动2023-07-31
天岳先进(688234)您好，首先祝贺贵司在液相法上取得的突破性进展！但是我看到高超博士在今年6月的最新论文DevelopmentofHighQuality8Inch4H-SiCSubstrates所提仍然是PVT法，因此我想在这里向您确认一下贵司在该技术上获得进展的研究历程，以及与国内相应机构的合作情况是什么？更具体地说，贵司主要突破的瓶颈是什么？其技术壁垒是否在于其自产的长晶炉？接下来使用该技术量产之前还需要做什么准备工作？是否有相应的时间节点？感谢！
尊敬的投资者，您好！碳化硅衬底制备技术包括PVT法（物理气相传输法）、液相法和高温气相化学沉积法等，目前行业内大规模碳化硅单晶生长主要采用PVT法。公司是国内最早从事碳化硅半导体材料产业化的企业之一，具备技术领先的技术优势和产业化能力。在碳化硅长晶方面，公司具有全自主的核心技术，实现了从2英寸到8英寸完全自主扩径，从基础原理到技术、工艺的深入积累。公司是国际上少数几个自主掌握碳化硅衬底制备核心关键技术能够实现规模化生产的企业之一，特别是具备突出的产业化经验。公司近年来研发投入较大，研发与规模化生产形成良好的正循环积累，一方面公司工程化试验数据为技术和良率的持续改进提供了关键支持，也是产品质量领先的关键因素；另一方面，公司在前瞻性技术发展方向做了全方位布局。公司较早开展了8英寸产品制备。2022年初，公司公布了自主扩径制备的高品质8英寸衬底。在2023Semicon论坛上，公司首席技术官高超博士报告了公司核心技术及前瞻性研发情况，通过液相法制备出了低缺陷密度的8英寸晶体，属于业内首创，也代表了公司领先的技术实力。公司突破了包括晶体生长溶液设计、晶体生长热场设计、晶体生长界面控制等诸多技术瓶颈问题。公司8英寸导电型产品已经具备量产能力。目前下游市场还是以6英寸为主，8英寸产品是发展方向，未来一段时间内6英寸和8英寸产品并存，但8英寸产品需求和占比将持续增加。公司也将根据下游市场的进展情况，积极进行8英寸产品的产业化布局。公司上海临港工厂已经于2023年5月进入6英寸导电型产品交付阶段，获得了英飞凌、博世等国际知名企业的合作。作为国内技术最全面、国际化程度最好的碳化硅衬底厂商之一，公司持续加大研发力度，在晶体生长和缺陷控制等核心技术领域展开密集的试验，不断突破技术瓶颈，提高产品良率，加快产品创新，巩固和提升公司在行业中的领先地位。谢谢您的关注！