近期，SiC行业热情持续高涨，扩产消息不断传来。
罗姆收购工厂扩产SiC功率器件
近日，据ROHM官网消息，ROHM与Solar Frontier K.K.达成基本协议，收购Solar Frontier位于日本的前Kunitomi工厂的资产。
据透露，ROHM计划将该工厂改造为SiC功率元件生产基地。预计收购将于2023年10月生效，利用现有建筑物和洁净室可以实现超快速生产启动，该工厂将于2024年底开始运营投产。预计到2030财年覆盖SiC产能，即SiC产能将增加35倍（与2021财年相比）。
新工厂概要
SiC业务产能扩张计划
作为ROHM的核心业务领域之一，半导体在实现低碳化社会中的作用正变得越来越重要。特别是汽车和工业设备市场正在进行电气化等技术革新，以减少对环境的影响，实现碳中和。因此，对功率半导体和模拟半导体的需求不断增加。
随着半导体市场的进一步扩大，ROHM集团打算继续扩大产能，特别是碳化硅（SiC）功率器件的产能，并确保向ROHM客户的稳定供应。
此前据ROHM公布财报指出，今年度设备投资额预估为1,600亿日圆，将较上年度（1,261亿日圆）增加27%。日经新闻报导，ROHM今年度设备投资额中，5成以上将用于SiC功率半导体。
ROHM指出，位于福冈县筑后市的工厂已于2022年12月开始量产SiC功率半导体，且也计划兴建新工厂，目标在2025年度将SiC功率半导体月产能（6吋晶圆换算）提高至2021年度的6.5倍，2030年度进一步扩增至35倍。
ROHM表示，目标在2025年度将SiC功率半导体营收提高至1,300亿日圆、2027年度进一步提高至2,700亿日圆。
比亚迪SiC项目扩产50%
6月15日，深圳市生态环境局公布了关于《比亚迪汽车工业有限公司碳化硅外延中试线量产项目环境影响报告书》受理公告。
根据环评文件，此前（2021年12月），比亚迪已经投资2亿元建设碳化硅材料项目——建设一条碳化硅外延片生产线，生产规模为12000片/年。
比亚迪透露，当时建设碳化硅外延项目主要是为了——承接比亚迪中研院内部高质量碳化硅单晶生长技术的开发，目的是为比亚迪公司内部后端应用于电动车和云轨产业的碳化硅功率器件提供高质量的碳化硅外延片，这不仅可以帮助公司实现在碳化硅全产业链的闭环和垂直整合，还可以进一步降低成本。
该项目位于深圳市坪山区比亚迪汽车生产基地(二期)地块西侧的D53#厂房。厂房占地面积9000m2，项目建筑面积约500m2。2022年1月，该项目开始建设，目前已完成设备安装，尚未正式运营。
而此次扩建，比亚迪拟投资约2.14亿元，在原有的D53#厂房1、4楼以及D50#厂房西北角，建设碳化硅外延中试线量产项目，扩产后将新增SiC外延片产能6000片/年，合计产能达18000片/年。
该项目建设内容主要为设备安装，施工期预计3个月，计划2023年6月开工，2023年9月建成。
众所周知，比亚迪十分看重碳化硅技术，旗下多款新能源车型也已搭载碳化硅技术。除了碳化硅外延外，比亚迪的碳化硅衬底环节也取得不俗成绩。
据了解，比亚迪中央研究院第三代半导体研究中心已成功攻克碳化硅晶圆衬底全环节工艺和设备制造技术，4英寸碳化硅晶圆性能已达到世界先进水平。
比亚迪在此次环评报告中再次强调——通过前期碳化硅衬底实验室的建设，攻克工艺难关，导电碳化硅衬底的研发已取得不少成绩，准备实现小批量量产。
此外，比亚迪还在浙江宁波建SiC晶圆产线项目。2021年6月，比亚迪半导体上市申请获得受理，计划投资31亿元建设3个项目，其中包括建设SiC晶圆生产线。该碳化硅项目总投资超过7.3亿，年产能将达24万片。
比亚迪半导体表示，该项目将以宁波半导体作为实施主体，将在宁波厂房建设SiC功率半导体晶圆制造产线，项目建成后，公司将拥有月产2万片SiC晶圆制造产能，项目建设期为5年。
天岳SiC衬底产能扩大至96万片/年
天岳先进在上海临港扩建SiC项目，该项目由其全资子公司天岳半导体主导。5月消息，上海临港新片区管理委员会对外公示了《关于“天岳半导体碳化硅半导体材料项目（调整）”》的环评审批意见。
根据环评审批意见公示，天岳半导体将通过优化生产工艺、调整生产设备、原辅材料和公辅环保设施等方式，提高产品质量和产量。调整后，6英寸SiC衬底的生产规模将扩大至每年96万片。
据了解，上海临港项目于2021年确立，总投资25亿元。彼时，天岳先进正在推进上市进程，其计划募资20亿元投向临港项目的建设，扩充SiC半导体材料产能。该项目已于2022年3月成功封顶，并在最近开始交付。
值得注意的是，按照之前的规划，临港项目全部达产后，SiC衬底的产能约为30万片/年。而通过此次的产能调整，临港项目产能将扩大220%，达96万片/年。