近日，山东天岳先进科技股份有限公司（688234，以下简称“天岳先进”）发布了2021年年度报告，报告期内公司实现营业收入44.94亿元，同比增长16.25%；归属于上市公司股东的净利润8995.15万元，相较上年同期扭亏为盈。
根据《上海证券交易所科创板股票上市规则》等相关规则，天岳先进2021年度归属于母公司股东的净利润及扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利润均为正，符合“上市时未盈利企业首次实现盈利”的情形，公司A股股票简称于4月6日取消特别标识，由“天岳先进-U”变更为“天岳先进”，A股股票代码688234保持不变。
作为国内“碳化硅第一股”，天岳先进在其上市后的首份年报中，就交出了营收稳健增长、净利扭亏为盈的成绩单。在这样的成绩背后，天岳先进做了什么？
营收净利双增，成功实现摘“U”
界面山东了解到，天岳先进成立于2010年11月，2022年1月12日在上海证券交易所科创板发行上市，募集资金总额约35亿元，成为国内“碳化硅第一股”，并受到市场的持续关注。根据上交所科创板相关规定，天岳先进2020年归属于母公司股东的净利润为-64,161.32万元，扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利润为2,268.78万元，属于上市时未盈利企业，因此自公司上市之日起，A股股票简称特别标识为“天岳先进-U”。
2022年3月31日晚间，天岳先进发布2021年年度报告，交出了上市之后的第一份成绩单。
年报显示，2021年天岳先进实现营业收入44.94亿元，同比增长16.25%；归属于上市公司股东的净利润8995.15万元，较上年同期增加7.31亿元，同比大幅度扭亏为盈；基本每股收益0.23元。根据国际知名行业咨询机构yole报告统计，截至2021年，天岳先进在半绝缘碳化硅衬底领域，市场占有率连续三年保持全球前三。
这份“亮眼”的成绩单，使得天岳先进满足上交所科创板相关规定，符合“上市时未盈利企业首次实现盈利”的条件，公司A股股票简称于4月6日取消特别标识，由“天岳先进-U”变更为“天岳先进”，成功实现摘“U”。
第三代半导体的崛起
作为科创板新军，天岳先进不仅打响了上市后的“第一枪”，也让资本市场看到了其布局半导体行业的野心。
据Choice数据统计，天岳先进上周融资买入交易规模2178.51万元，融资偿还规模1674.38万元，期内融资净买入504.13万元。截止4月10日，天岳先进融资融券余额1.31亿元，其中融资余额规模1.08亿元，融券余额规模2302.38万元。两融余额延续增长态势，融资余额已连续两周增长累计达943.81万元，在所属半导体板块中，天岳先进上周融资净买入额排名第九。
界面山东了解到，碳化硅衬底是天岳先进的核心产品及主要收入来源，属于第三代半导体的上游。自2010年成立以来，经过十余年的技术积累，天岳先进已成为一家国内领先的宽禁带半导体（第三代半导体）衬底材料生产商。
值得关注的是，目前90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的，在行业内被统称为第一代半导体。而第三代半导体材料则是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表，某种程度上，具备更好的物理性能，比如耐高温、高电压、高频率等场景。
根据TrendForce最新报告预计，第三代功率半导体的产值将从2021年的9.8亿美元，增长至2025年的47.1亿美元，年复合成长率可达48%。
第三代半导体产业之所以迎来商业化爆发的契机，源自于政策与市场的双轮驱动。
从政策端来看，第三代半导体是实现“碳达峰、碳中和”目标的重要助力元素。
随着国家2030计划和“十四五”国家研发计划的明确，第三代半导体成为重要的发展方向。一方面，近年来在国家多次出台行业扶持政策，重点支持第三代半导体产业，解决半导体行业“卡脖子”的问题；另一方面，各地政府也积极参与到第三代半导体项目的投资建设当中。
从市场端来看，下游应用需求高起，导致第三代半导体在新兴产业领域起量。快充装置、输变电系统、轨道交通、电动汽车和充电桩等都需要大功率、高效率的电力电子器件，基于SiC、GaN的电子电力器件因其物理性能优异在相关市场备受青睐。
随着技术的进步及下游市场的拉动，第三代半导体已经具备产业化基础。因为投资规模相对较低，产业链不再集中于一、二线城市，而是全国遍地开花。根据《火热的投资环境以及政策保障下，我国SIC产业已完成基本布局》一文整理的数据显示，2018-2020年，我国仅SiC项目政府投资达到32个，计划投资金额超过700亿。
在双碳政策不断推进的背景下，第三代半导体需求快速增长，以碳化硅为代表的半导体技术，有成为可能成为国内芯片产业弯道超车的契机。
立足碳化硅衬底材料领域深耕十余年
在行业高景气度之下，碳化硅衬底正是天岳先进的聚焦点所在。
十年磨一剑，天岳先进在碳化硅衬底领域积累了深厚的技术实力。
自2010年成立以来，天岳先进承担了国家核高基重大专项（01专项）项目、国家新一代宽带无线移动通信网重大专项（03专项）项目、国家新材料专项、国家高技术研究发展计划（863计划）项目、国家重大科技成果转化专项等多项国家和省部级项目，并于2019年中标国家电网的采购计划。
据天岳先进年报，2021年公司研发费用7,373.61万元，占营业收入的14.93%，研发费用同比增加了62.05%。截至2021年12月末，公司及下属子公司拥有专利授权415项，其中境内发明专利98项，实用新型专利授权312项，境外发明专利授权5项，走在国内碳化硅衬底领域前列。
界面山东了解到，对于碳化硅器件而言，衬底产能是关键环节。由于价值占比、供应链、技术、专利壁垒高，衬底不仅是碳化硅晶圆产能的关键制约点，也是整体产业放量的决定性因素。
2020年以来，我国加快“新基建”建设力度，随着5G基站建设、电动汽车、充电桩等行业的发展推进，将促进我国上游半导体行业的持续发展，进一步提高国内半导体企业在国际市场的影响力，尤其对碳化硅器件将产生巨大的需求。
为了迎接导电型衬底市场的爆发、消除产能制约，天岳先进正加速推进其上海临港项目。
2021年，天岳先进募投“碳化硅半导体材料项目”在上海临港正式开工建设，该项目纳入国家布局，且被上海市政府列为2021年、2022年上海市重大建设项目。据了解，该项目主要用于生产6英寸导电型碳化硅衬底材料，满足下游电动汽车、新能源并网、智能电网、储能、开关电源等碳化硅电力电子器件应用领域的广泛需求。预计2022年三季度实现一期项目投产，并计划于2026年达产，达产后将新增碳化硅衬底材料产能约30万片/年，是目前天岳先进产能的6倍之多，将有效缓解产能不足。
目前，碳化硅衬底产业的发展正处于开启科创引领、数智赋能的“大周期”，驶入政策与市场双轮驱动的“新赛道”。与此同时，也意味着产业内外环境面临着巨大的不确定性，但对于企业而言，这恰恰是亮功底、展实力、见真章的关键窗口期。
打响上市后“第一枪”的天岳先进，唯有以科技创新为关键变量，锚定产业核心价值，在发展中规避风险，方能“避险于未发，制胜于无形”，从容把握和应对市场和外界未知的危与机。