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天岳先进(688234)内幕信息消息披露
 
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天岳先进股价创上市新低,碳化硅盈利前景存疑

http://www.chaguwang.cn  2022-01-27  天岳先进内幕信息

来源 :每商网MS2022-01-27

  成立于2010年的山东天岳先进科技股份有限公司(以下简称“天岳先进”)于2022年1月22日在上海证券交易所科创板上市,发行价82.79/股。

  科创板挂牌上市首日,天岳先进(688234,SH)股价开盘破发,报77.98元/股,跌幅5.81%,不过截至当日收盘,仍报收85.50元/股,涨幅3.27%。

  1月26日,天岳先进自挂牌首日创出最高93.58元/股后,股价呈现持续下跌,近两日更是加速下跌,创出上市新低,以收盘价67.7元/股报收,当日跌幅3.15%,总市值291亿元。

  

  两个项目被终止

  招股书显示,2018年至2020年,天岳先进各年营业收入实现持续增长,由2018年度的13,613.40万元增长至2020年度的42,481.19万元,年均复合增长率达76.65%。

  尽管营收增长不错,但盈利并不理想。招股书显示,2018年至2020年,天岳先进归属净利润一直处于亏损状态,近三年来,归属净利润共计亏损8.84亿元,直至2021年三季度,归属利润才达5353万元。

  另外,每日商业报道(www.bizvcw.com)注意到,天岳先进2020年共支付解约补偿款660.97万元。一是终止与山东大学合作的产业化研究项目,支付解约补偿款200万元,二是停止浏阳高新技术产业开发区落地项目推进,支付补偿金460.97万元。

  据了解,天岳先进称,已掌握涵盖了设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工等各类核心技术。截至2020年末,公司拥有授权专利286项,其中境内发明专利66项,境外发明专利 1项。天岳先进的碳化硅衬底制备技术不仅体现在设备、热场和工艺设计上,也体现在技术实现过程中的各个环节上。

  不仅如此,天岳先进在招股书中也表明,希望从公司战略角度出发,对现有业务进行的产能扩展、产品研发体系升级和配套体系完善。此外,公司致力于形成既有强大技术又有详细技术细节的全面研发局面,这要依靠研发团队的开拓创新和合力研发。

  而天岳先进选择终止与高校的项目合作、停止高新技术产业开发区落地项目推进,对上述研发的承诺将带来多大不利的影响?每日商业报道(www.bizvcw.com)向天岳先进询问,截至发稿,对方并未给予回复。

  碳化硅前景广阔

  据悉,此次科创板上市募集资金总额355,757.78万元,募集资金净额320,347.13万元,募集资金的唯一投资项目是碳化硅半导体材料项目。这一碳化硅半导体材料项目总投资额为250,000万元,拟投入募集资金200,000万元。

  天岳先进的这一募投项目将依托上海半导体人才的优势,并依托上海临港新片区建设碳化硅衬底生产基地,进而不断扩大的碳化硅半导体衬底材料生产以满足市场需求。天岳先进的产品碳化硅衬底是宽禁带半导体的核心材料,而碳化硅半导体相对于当前汽车领域使用的硅半导体而言,更加节能、耐高温、耐高压等。

  因此,在科创板IPO时,天岳先进认购名单中,出现宁德时代、上汽集团、广汽集团、小鹏汽车等知名厂商。

  

  另外,天岳先进的募投项目“碳化硅半导体材料项目”已被上海市发改委列入《2021 年上海市重大建设项目清单》。2019年10月国家发改委发布《产业结构调整指导目录(2019年本)》;11月国家工信部发布《重点新材料首批次应用示范指导目录(2019年版)》;2020年4月科技部发布《“战略性先进电子材料”重点专项2020年度项目》。之后,不少关于碳化硅的鼓励发展政策相继出台。

  浙商证券研究所报告显示,由于第三代半导体市场规模远期空间增速快,碳化硅前景广阔,各方企业纷纷入场持续布局,包括Wolfspeed、II-VI 、天科合达、三安光电、山西烁科、露笑科技等。

  从数据比较来看,可比公司包括 Wolfspeed 公司、贰陆公司(II-VI)、沪硅产业、天科合达。横向对比发现,天岳先进营收体量偏小,营收增速快,归母净利润规模处于中游,增速行业领先。公司盈利能力较强,毛利率行业领先,净利率2021年前三季度位于行业第一。

  

  产品开发应用仍存风险

  不过,资料显示,相较于成熟的硅片制造工艺,碳化硅衬底产品价格短期内依然较为高昂。例如,目前碳化硅功率器件的价格仍数倍于硅基器件,下游应用领域仍需平衡碳化硅器件的高价格与因碳化硅器件的优越性能带来的综合成本下降之间的关系,短期内一定程度上限制了碳化硅器件的渗透率,使得碳化硅材料即使在部分相对优势领域的降成本、促销售的可行性和预期进展仍存在较大的挑战,导致整体行业发展不达预期。

  同时,制备技术难点多。碳化硅衬底制备技术包括PVT法(物理气相传输)、溶液法和HTCVD法(高温气相化学沉积)等,目前商用碳化硅卑晶生长均采用PVT法。PVT法制备碳化硅卑晶主要有四大难点:晶体生长环节中的晶型控制、掺杂控制、热场控制和后续加工环节的表面控制。而主流商用的PVT 法晶体生长速度慢、缺陷控制难度大,导致其市场应用瓶颈仍然存在。

  影响碳化硅衬底成本的制约性因素还在于生产速率慢、产品良率低。尽管天岳先进持续开展研发,有效提升了晶棒良率,从2018年的41.00%上升至2020年的50.73%,衬底良率稳定保持在70%以上。碳化硅衬底产量从2018年的11,463片提高到2020年的47,538片,期间CAGR为103.64%。但是招股书显示,主营业务的最终良率只有不到40%。

  值得注意的是,招股书显示,报告期各期末,天岳先进存货账面价值分别为 4,579.56万元、6,445.05万元、16,221.82万元和30,240.05万元,占各期末流动资产的比例分别为11.74%、13.42%、 15.59%和 28.72%。并且,天岳先进为应对国际贸易形势变化,对主要原材料及辅料进行储备,进而报告期末原材料金额及占比持续提高,如果天岳先进的工艺技术进步导致储备的材料无法满足生产需求,将产生存货跌价损失,那么会对公司经营业绩造成不利影响。

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