微导纳米携新品亮相第十六届集成电路封测产业链创新发展论坛

　　7月12日-13日,第十六届集成电路封测产业链创新发展论坛（CIPA2024）在苏州金鸡湖国际会议中心召开。江苏微导纳米科技股份有限公司（简称：“微导纳米”，股票代码：688147.SH）携三款新品：iTronix?LTP系列、iTomic?PE系列、iTomic?MeT系列参与了此次盛会，并在大会上发表了题为“先进封装薄膜解决方案”的演讲，引发了与会者的广泛关注。

　　

　　随着半导体技术的快速发展，2.5D和3D封装技术凭借其高集成度和优越性能，正逐步成为推动电子器件微型化和性能提升的关键力量。为满足这一先进封装的特殊需求，微导纳米推出多款薄膜沉积设备产品和一系列超低温薄膜沉积工艺方案，能够在50~200°C的温度区间内实现高质量的薄膜沉积，为先进封装技术的突破提供了强有力的支持。

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　　低温薄膜沉积工艺中的核心技术

　　微导纳米专有的冷却和动态温控技术，能够实现低温薄膜沉积工艺温度正负1°C的精准控制，确保整个工艺过程的平稳运行，为薄膜沉积提供了稳定的环境，满足了高质量薄膜形成的严格要求。此外，通过晶圆背吸、多层叠层、应力调节工艺技术，微导纳米有效解决了晶圆翘曲和厚膜破裂问题，确保了厚膜的完整性和可靠性，进一步提升了封装的可靠性和整体性能。

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　　低温薄膜沉积应用解决方案

　　针对2.5D和3D封装中多样化的应用需求，微导纳米推出了三款低温薄膜沉积产品。iTronix?LTP系列低温等离子体化学气相沉积系统（PECVD），能够在低温下实现高质量的SiO2、SiN和SiCN薄膜沉积；iTomic?PE系列等离子体增强原子层沉积系统（PEALD），可沉积高质量的SiO2和SiN薄膜，适用于高深宽比的TSV衬垫，能够在极高深宽比的通孔内形成均匀且致密的绝缘层，保证了器件性能的稳定；iTomic?MeT系列金属及金属氮化物沉积系统（ALD），可沉积高性能的TiN、TaN、Ru等金属性薄膜，适用于高深宽比TSV 的铜阻层，能够有效防止铜扩散，提高了TSV的可靠性和导电性能。

　　iTronix?LTP系列

　　等离子体增强化学气相沉积系统

　　

　　iTomic?PE系列

　　等离子体增强原子层沉积系统

　　

　　iTomic?Met系列

　　金属及金属氮化物沉积系统

　　

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　　通过这些先进的低温沉积工艺和产品，微导纳米能够为客户提供有效薄膜的解决方案，助力2.5D和3D封装技术的不断发展和应用，满足未来电子器件更高性能和更小尺寸的需求，特别是在人工智能、高性能算力、存算一体、后摩尔时代、Chiplet等芯片的先进封装中发挥重要作用。

　　未来，微导纳米将继续秉承"创新驱动、引领未来"的发展理念，不断在集成电路封测技术领域进行探索和突破，为我国集成电路产业的蓬勃发展注入强劲动力。