自2022年以来，受宏观经济增速放缓、地缘政治局势紧张和行业周期性波动等多重因素影响，以消费电子为代表的下游应用需求疲软，市场景气度下降，同时企业的库存问题也从下游不断传导到上游，进一步抑制了对存储芯片产品的需求，因此存储芯片经历了一轮下行周期，产品需求量和产品价格都受到了较大影响。当下，行业仍在下行周期的寻底阶段，东芯股份在逆境中维持稳步发展，深耕存储领域，加大研发费用，持续完善产品线，升级产品结构。
持续完善存储产品线
东芯股份是国内少有的可以同时提供SLC NAND、NOR、DRAM和MCP存储芯片企业，是国内领先的2D SLC NAND Flash供应商。经过多年的技术积累和研发投入，公司在各类型存储芯片的核心设计环节都拥有自主研发能力与核心技术。在下游应用方面，根据前三季度的数据显示，网络通信产品占公司总体出货量的一半，而消费电子领域产品占三成左右，其余产品分布在监控安防和工业类应用等。
SLC NAND是NAND产品最基础的形态，相对其他NAND产品可靠性更高。东芯股份主力产品SLC NAND Flash芯片制程涵盖38和2xnm制程，存储容量覆盖1Gb至32Gb，在产品性能和可靠性方面存在优势，是市场的主流存储芯片。公司产品以38nm和2xnm的制程为主，应用于5G通讯模块和集成度要求较高的终端系统运行模块。此外，更先进制程的1xnm NAND芯片早前于2021年底进行了首颗的流片，目前还在产线良率的调试中，预计可以带来成本领先的优势，以及未来一些新的应用需求的可能性。未来随着5G宏基站的逐步建设以及各类5G应用的上限，公司高容量的SLC NAND产品的需求会持续旺盛。
据供应链消息，目前市场上NOR Flash中大容量产品的价格处于底部企稳的状态。而东芯股份专注于大容量、低功耗、ETOX工艺的SPI NOR Flash，产品制程从65nm推进至48nm，存储容量覆盖64Mb至1Gb，并在48nm制程上持续进行更高容量的新产品开发，产品可满足智能手表、TWS耳机等可穿戴设备领域以及移动终端领域的需求。
值得一提的是，聚焦高附加值产品，顺应汽车产业在智能网联功能的布局，并实现车规级闪存产品的产业化同样是东芯股份的目标。NAND Flash和NOR Flash 均有产品通过AEC-Q100测试。
DRAM市场空间巨大，为半导体存储器的第一大产品，东芯股份的DRAM产品主要包括标准的DDR3，以及低功耗的LPDDR1、LPDDR2和正在测试中的LPDDR4X产品。公司产品线可实现25nm工艺节点的量产，DDR3产品已在通讯设备、移动终端等领域成熟应用，LPDDR产品也已经广泛应用于智能终端、可穿戴设备领域。
东芯半导体MCP产品线今年增长势头仍在，通过将Flash闪存芯片与DRAM进行合封的产品，根据公司官网数据，公司的MCP系列产品具有8款产品，集成了自研的低功耗1.8V SLC NAND Flash与低功耗设计的LPDDR1/2，针对模块类客户提供多种容量配置。
整体来看，东芯股份以存储产品为核心，拓展智能化外延并以应用为导向，开发具有特色的存储产品，通过差异化提升盈利空间，提升公司在全球的市场地位和影响力。并在现有应用领域的基础上，加大对物联网、智能硬件应用、汽车电子、医疗健康等新兴领域的布局和开拓，提高公司产品的市场占有率，同步提升定制化产品及服务的能力。
存储市场正快速回暖
受市场需求放缓、供应增加，价格竞争格局加剧等因素的影响，存储芯片的价格在2022年最后两个季度出现了暴跌，相关DRAM和NAND产品库存高企。根据Statista数据，23Q2全球智能手机出货265.3百万台，同比减少7.24%，环比减少1.23%，为近10年的最低点。
然而，今年Q1、Q2、Q3存储市场的跌幅正在放缓，近期，市场回暖的迹象也愈发明显。得益于三星、美光科技、SK海力士、西部数据、铠侠等一众厂商的减产策略，存储市场的供需关系正加速回归平衡。根据TrendForce统计数据显示，今年Q3预估DRAM均价跌幅收敛至0~5%，NAND Flash均价跌幅收敛至3~8%。
近期，存储芯片在经过史上最长的库存调整期后，手机、PC等客户库存也已正常化，数据中心客户库存经过几个季度去化也实现了大幅消化，存储大厂减产报价策略奏效，终于迎来了原厂通知第四季度合约价调涨的声音。据台媒《工商时报》报道，大厂报价DDR5上涨15～20％，DDR4上涨10～15％，DDR3上涨10％，涨幅优于原先预估的5～10％，NAND每家平均涨至少20～25％。
在国内存储市场，涨价行情自上而下的传导也同样正在上演。据中国闪存市场信息显示，由于 NAND 晶圆颗粒的价格上涨，以及贸易商出货报价抬高的影响，成品端现货价格全线走高。国内不少存储模组大厂最近已经向客户宣布暂停低价接单。上游方面，1Tb/512Gb TLC NAND Flash Wafer 连续数周调涨；而在DDR方面，DDR4 16Gb/4Gb eTT价格分别上涨；在渠道市场，SSD 和内存条价格也出现普涨行情。
更有业内人士指出，存储芯片产业苦熬两年，黑暗将过，2024 年下半年更可能出现短缺。他认为，由于三大存储芯片巨头积极减产，效益开始显现，NAND 及 DRAM 近期现货价皆从低谷处呈现双位数反弹。
对于东芯股份而言，受到此前下行周期的影响，公司当前存货仍然较多。但是公司大部分存货都是晶圆为主，且产品类型大部分为通用型产品，随着需求的回暖，主流DRAM价格出现大幅反弹之后，利基DRAM价格也会上涨，库存水位会迅速得到改善。同时，随着海外大厂逐步退出利基市场，公司将迎来新的发展机遇，中国大陆及中国台湾厂商逐步占据了利基型存储市场的主要份额。东芯股份近年来持续加大研发投入，竞争实力不断增强，在国产替代需求井喷的时代下，获得更多的市场份额。
新兴领域将持续催动对容量的需求
周期性是半导体行业的常态，存储芯片行业作为强周期的行业，行业低谷不会长期持续。展望2024 行业预计开始逐步复苏，并且新兴领域仍然正在积极发展。元宇宙、自动驾驶、人工智能等数据密集型应用技术不断涌现，而随着下游应用的升级换代，客户对于容量的需求也在逐步增大。
东芯股份将抓住中国集成电路产业发展国产化的良好机遇，以成为国内领先的存储芯片设计企业为目标，致力于给更多客户提供包括NAND Flash、NOR Flash、DRAM、MCP等多产品线全覆盖的存储芯片产品，为日益发展的存储需求提供可靠高效的解决方案。公司也将通过持续的研发创新、制程升级和性能迭代，保持公司现有产品的技术先进性。