东芯股份：今年已将开始量产48nmNOR，继续向中高容量发展

　　东芯股份11月1日披露投资者关系活动记录表显示，PSRAM第一颗256Mb的产品已经送给客户在测试中了，这个产品的时间流程还是符合我们预期的规划的。公司现在开发的PSRAM是基于38nm工艺开发的，公司现在在PSRAM的客户基础上具有一定优势，客户可以用公司的SLCNAND，也可以用今后开发的PSRAM。PSRAM我们目前我们看到应用场景主要还是在智能穿戴类的产品上面使用，预计我们今年可以提供样品。

　　公司我们目前使用的是ETOX工艺，NOR目前量产的已经有包括65nm的工艺和48nm的工艺。容量从64Mb到512Mb，明年会有堆叠的1GB的产品。512Mb的NOR预计今年下半年开始出样，对于这类中高容量的NOR，主要的市场还是在工业以及服务器等。我们今年已将开始量产48nm的NOR，还是继续向中高容量发展。128Mb、256Mb的NOR还是消费类客户做制程替换。中高容量相对会有溢价，今年会出512Mb的样品，明年会有1Gb的产品，主要使用在工业类产品。