拓荆科技：2023年4款新产品通过客户验证，新型设备平台和反应腔提升产能和薄膜沉积性能

　　拓荆科技披露投资者关系活动记录表显示，公司根据客户的需求，持续进行产品的迭代创新和工艺拓展，在客户端整体验证进展顺利。2023年，公司有4款新产品通过客户验证，包括Thermal-ALD、HDPCVD以及两款不同的混合键合设备。目前，公司推出的PECVD、ALD、SACVD及HDPCVD等薄膜设备可以支撑逻辑芯片、存储芯片制造中所需的全部介质薄膜材料和约100多种工艺应用。公司研发的新平台进一步提升了设备产能，机械产能可提高约20%至60%，新型反应腔进一步提升了薄膜沉积的性能指标，包括薄膜均匀性、颗粒度等指标，可以满足客户在技术节点更新迭代的过程中对高产能及更严格的薄膜性能指标的需求，新型设备平台及反应腔均已出货至不同客户端验证。