总投资11亿元 拓荆科技拟投建“高端半导体设备产业化基地建设项目”

　　3月1日晚间，拓荆科技(688072)发布投建“高端半导体设备产业化基地建设项目”并变更部分募集资金用途投入该项目的公告。

　　具体来看，公司董事会同意投资建设“高端半导体设备产业化基地建设项目”，该项目以公司及全资子公司拓荆创益为实施主体，项目总投资额约为11亿元，其中公司投资金额约为3.8亿元，拓荆创益投资金额约为7.2亿元。公司拟调减首发募投项目“先进半导体设备的技术研发与改进项目”募集资金承诺投资总额2亿元，同时调减超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”的募集资金承诺投资总额5000万元，并将上述调减的募集资金合计2.5亿元投入“高端半导体设备产业化基地建设项目”，其余项目资金8.5亿元由公司及拓荆创益自筹。

　　据披露，该项目建设周期预计为4年。谈及必要性，拓荆科技认为，项目通过建设高端半导体设备产业化基地，支撑公司PECVD、SACVD、HDPCVD 等高端半导体设备产品未来的产业化需求，进而满足集成电路制造产线的扩产需求，有利于推动集成电路设备技术的发展，对于落实国家发展战略规划具有重要意义。此外，本项目将为现有研发成果及新工艺、新产品投入量产提供支撑条件，其有利于提升公司核心竞争力，巩固公司在行业的领先地位。

　　从行业情况来看，根据SEMI预测，预计2024年全球半导体制造设备的销售额达到1000亿美元。纵观半导体行业的发展历史，虽然行业呈现明显的周期性波动，但整体增长趋势并未发生变化。在人工智能、大数据、智能驾驶、新能源等新兴领域的快速发展拉动下，晶圆厂将持续进行资本开支，扩充产能，这将带动半导体设备的市场需求量的增长。薄膜沉积设备作为集成电路晶圆制造的核心设备，具有较大的市场需求和增长空间。

　　公开资料显示，拓荆科技一直专注于高端半导体专用设备的技术研发，自成立以来，公司始终坚持自主研发，目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜设备产品系列，广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线，在半导体薄膜沉积设备领域积累了多项国际先进的核心技术，构建了具有设备种类、工艺型号外延开发能力的研发平台。

　　此前业绩快报披露，2023年度公司实现营业收入27.05亿元，同比增长58.60%；同期实现归属于母公司所有者的净利润6.65亿元，同比增长80.38%；业绩增长主要系公司持续高强度的研发投入，突破核心技术，在推进产业化和迭代升级各产品系列的过程中取得了重要成果，产品竞争力持续增强。

　　“公司本次新建项目通过提升公司半导体薄膜沉积设备的产能，可以进一步推动公司业务规模的持续增长，进而提升公司薄膜沉积设备的市场份额，抓住市场机遇，迅速扩大企业规模。”拓荆科技认为。

　　当日，公司还披露一份回购方案。公司拟以1.2亿元至1.97亿元回购股份，用于股权激励或员工持股计划，回购价格不超过270元/股（含）。