目前的科创板上市公司中，有多家是在细分领域掌握关键核心技术的硬科技企业或处于关键技术攻关领域的标杆企业，已在科创板获受理或即将上市的“储备军”企业的科创底色亦不容小觑，都是各自领域的“领跑者”。即将正式登陆科创板的拓荆科技股份有限公司（以下简称“拓荆科技”），就是一个典型代表。
拓荆科技成立于2010年4月，是辽宁省及沈阳市重点培育的上市后备企业和中国半导体设备五强企业，主要从事高端半导体专用薄膜沉积设备的研发、生产以及技术服务，产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备和次常压化学气相沉积(SACVD)设备三个产品系列，是目前国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD、SACVD设备厂商。公司产品已广泛应用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，在不同种类芯片制造产线的多道工艺中得到商业化应用，同时已展开 10nm 及以下制程产品验证测试，在研产品已发往国际领先晶圆厂参与其先进制程工艺研发。
坚持硬核科技创新，产品重要性程度高，并已达到国际同类设备水平
薄膜设备的发展支撑集成电路制造工艺向更小制程发展。芯片是微型结构体，其内部结构是3D立体式形态，晶圆衬底上的微米或纳米级薄膜构成了制作电路的功能材料层，通过与光刻机、刻蚀机及其他设备的搭配使用，制造出芯片的电路结构。随着集成电路制造不断向更先进工艺发展，单位面积集成的电路规模不断扩大，芯片内部立体结构日趋复杂，所需要的薄膜层数越来越多，对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求。在90nm CMOS工艺，大约需要40道薄膜沉积工序。在3nm FinFET工艺产线，超过100道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由6种增加到近20种，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级。
薄膜沉积设备技术门槛高，研发难度大。由于薄膜是芯片结构的功能材料层，在芯片完成制造、封测等工序后会留存在芯片中，薄膜的技术参数直接影响芯片性能。生产中不仅需要在成膜后检测薄膜厚度、均匀性、光学系数、机械应力及颗粒度等性能指标，还需要在完成晶圆生产流程及芯片封装后，对最终芯片产品进行可靠性和生命周期测试，以衡量薄膜沉积设备是否最终满足技术标准。因此，下游客户对薄膜沉积设备技术要求高，对于新兴厂商而言，需要具备绝对的技术能力来获取客户信任。
拓荆科技立足自主创新，先后承担多项国家重大科技专项课题，在半导体薄膜沉积设备领域积累了多项研发及产业化的核心技术，并达到国际先进水平。其中，公司先进的薄膜工艺设备设计技术、反应模块架构布局技术、半导体制造系统高产能平台技术等核心技术，不仅解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，还在保证实现薄膜工艺性能的同时，提升了客户产线的产能，减少客户产线的生产成本。
助力构建安全自主可控的半导体产业供应链和价值链
拓荆科技的产品已基本全面实现了我国芯片制造产业在介质薄膜沉积设备领域摆脱对海外厂商的进口依赖，补强了我国在集成电路产业链关键环节的实力，为建立独立自主的芯片体系贡献力量。
公司聚焦的半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大主设备。薄膜沉积设备作为晶圆制造的三大主设备之一，投资规模占晶圆制造设备总投资的25%。一直以来，半导体专用设备都被应用材料（AMAT）、先晶半导体（ASMI）、泛林半导体（Lam）、东京电子（TEL）等国际巨头垄断，半导体“卡脖子”的情况严重，极大影响我国芯片制造的供应链安全。
拓荆科技经过十多年的技术积累，已形成覆盖二十余种工艺型号的薄膜沉积设备产品，可以适配国内最先进的28/14nm逻辑芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128层3D NAND FLASH晶圆制造产线，满足下游集成电路制造客户对于不同材料、不同芯片结构薄膜沉积工序的设备需求。其中，PECVD设备已全面覆盖逻辑电路、DRAM存储、FLASH闪存集成电路制造各技术节点产线多种通用介质材料薄膜沉积工序，并研发了LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等先进介质材料工艺，一举打破了薄膜沉积设备长时间被欧美和日本厂商垄断的局面。凭借长期技术研发和工艺积累，拓荆科技已经成为可与国际巨头直接竞争的半导体高端设备制造厂商。
借助资本市场募集资金加大技术研发投入，促进产业链发展，彰显科创板正面示范效应
作为注册制改革的“试验田”和定位于支持“硬科技”产业的融资板块，科创板成立近三年以来，基础制度不断完善，上市条件的包容度和适应性不断提升和增强，吸引了一大批硬科技企业选择到科创板发行融资，其中不乏大量尚未盈利、存在特殊股权结构的硬科技企业。在科创板这块“试验田”支持硬科技发展的示范引领作用下，拓荆科技选择到科创板发行股票上市获得融资支持，持续加大研发投入。
拓荆科技在科创板发行上市主要是为开展配适10nm以下制程的 PECVD 产品研发、开发 Thermal ALD 和大腔室PE ALD，以及升级SACVD设备，研发 12英寸满足28nm以下制程工艺需要的SACVD设备募集社会资金，并借助募集资金开发中国台湾市场。在加强产品技术研发的同时，拓荆科技上市后，还将逐步培育和完善国内相关产业链，通过与国内供应商的深度合作与磨合，推动设备关键部件的国产化开发及验证，提高设备零部件的国产化率，以及产品品质。同时，公司还将利用国产设备厂商的综合优势，为客户提供定向的技术开发与服务，以此助力半导体产业链发展，保障产业链的技术先进性。
半导体专用设备作为半导体产业的重要支撑，是国家高度重视和重点支持的战略新兴行业。像拓荆科技这类具备“硬科技”属性的高新技术企业，其发行上市获取资本助力，既是科创板坚守“硬科技”板块的定位，也是契合国家发展战略、支持强科创属性企业，借助资本市场实现跨越式发展的正面示范效应。
自2018年11月科创板被首次提出，2019年7月首批科创板企业上市，到如今科创板上市企业数量已超400家，其背后彰显的是科创板助力企业做大做强、规范发展的战略意义和重要使命。而作为优质“入场人”的拓荆科技和严格“看门人”的保荐机构招商证券，则是延续科创板使命的重要践行者。