来源 :电子发烧友网2026-05-27
纳芯微推出车规级隔离半桥驱动芯片NSI6602Ux系列，该系列基于明星产品NSI6602全面升级，驱动侧电压提升至32V，相比上一代产品具备更强的抗冲击能力与系统适配能力。
此外，NSI6602Ux集成输入/输出侧电源状态反馈功能，并兼具高隔离电压、低延时、死区可配、输入互锁、欠压阈值可选等特性，适用于驱动SiC、IGBT等器件，可广泛应用于新能源汽车OBC、DC-DC、主动悬架等场景。
1.输入/输出侧电源状态反馈，助力功率器件开关安全
在OBC/DC-DC、工业电源、电机驱动等功率电子系统中，驱动芯片的可靠性直接决定功率器件的开关安全。随着SiC、GaN等第三代功率器件的应用，器件驱动阈值更敏感、响应速度更快，这使得系统对驱动芯片的状态监测精度和响应及时性的要求大幅提升。
传统方案通常依赖外部电压监测电路来判断驱动芯片是否就绪，这不仅增加系统复杂度，还可能因延迟或干扰带来误驱动风险，进而引发功率器件损坏、系统失控等潜在安全隐患，同时也限制了第三代功率器件性能的充分发挥。
纳芯微NSI6602Ux创新性集成了RDY状态反馈功能，可实时输出芯片供电状态，直接反馈至MCU/DSP，实现芯片级“就绪可见”。无需额外监测电路，即可有效避免未就绪驱动、误触发等风险，从系统架构层面提升功率器件开关安全性。
NSI6602Ux（右图）与NSI6602（左图）功能框图对比
2.高性能驱动与多重保护协同，提升系统可靠性与效率
NSI6602Ux具备4A峰值拉电流与6A峰值灌电流的强劲驱动能力，可直接驱动IGBT、SiC等功率器件，支持最高2MHz开关频率，无需额外增设缓冲器或驱动放大电路，显著简化外围设计。
器件支持最高32V驱动电压，并集成欠压锁定（UVLO）保护，可有效应对高压冲击场景。同时，内置输入侧IN+/IN-互锁功能，从硬件层面避免上下桥臂直通风险，大幅提升了系统的可靠性和抗干扰能力。此外，通过DT引脚可灵活配置死区时间，搭配多档UVLO阈值选择，进一步提升系统设计的安全裕量与适配能力。
在性能方面，NSI6602Ux具备45ns传播延时、5ns延迟匹配、4ns脉宽失真，处于行业领先水平。并支持±150kV/μs高CMTI，有效抑制共模干扰，避免延时波动，在复杂工况下仍可保持稳定运行。
3.灵活控制与接口兼容设计，降低系统复杂度与BOM成本
NSI6602Ux支持DIS/EN两种使能逻辑配置，可灵活适配不同控制架构；输入侧支持2.8V~5.5V宽电压供电，可直接兼容MCU、DSP，无需额外电平转换电路。
通过减少外围器件、简化接口设计与控制逻辑，有效降低系统设计复杂度与BOM成本，同时提升整体方案的通用性与可扩展性。
NSI6602Ux产品特性：
5.7kVrms隔离耐压，可驱动高压SiC和IGBT
高CMTI：150kV/μs
输入侧电源电压：2.8V~5.5V并支持欠压2.35V保护
驱动侧电源电压：最高可达 32V
峰值拉灌电流：＋4A/-6A
驱动电源欠压：8V/17V两档可选
支持输入、输出侧电源监控上报RDY
可编程死区时间
支持使能逻辑控制
典型传播延时：45ns
工作环境温度：-40℃~125℃
符合面向汽车应用的AEC-Q100 标准
符合RoHS标准的封装类型：SOW14/16，SOP16
通过UL、VDE、CQC等多项安全认证
NSI6602Ux典型应用电路
4.封装与选型
纳芯微NSI6602Ux系列现已全面量产，产品覆盖多种隔离电压等级、UVLO选项及封装，可灵活适配不同应用场景。进一步咨询NSI6602Ux产品，可邮件sales@novosns.com；更多产品信息、技术资料敬请访问www.novosns.com。
NSI6602Ux系列选型表