来源 :科创板日报2023-11-01
《科创板日报》11月1日讯（记者郭辉）碳化硅芯片商苏州中瑞宏芯半导体有限公司（下称“中瑞宏芯”），日前宣布完成近亿元人民币规模的产投融资。据了解，此轮投资是由两家科创板公司——光伏微逆公司禾迈股份和汽车电子供应商纳芯微，进行联合领投。
中瑞宏芯方面表示，本轮融资将继续用于碳化硅器件的技术研发创新、生产运营及市场拓展，全方位提升中瑞宏芯在SiC功率半导体行业的核心竞争力。
中瑞宏芯成立于2020年6月。据了解，该公司专注第三代半导体碳化硅领域核心技术研发及产业化，掌握从芯片设计、仿真建模到测试应用、量产导入全流程know-how，目前研制有碳化硅高压二极管JBS和MOSFET功率器件等系列产品。
据公司介绍，相比目前市场主流产品，中瑞宏芯开发的基于3D结构的SiC器件增加了电流密度，提高了反向耐压和雪崩能力，在常温及200摄氏度高温条件下的反向漏电流，均比国际同类型产品低一到两个数量级，适用于新能源汽车、光伏储能、轨道交通、航天航空等场景。
中瑞宏芯公司董事长、法定代表人为张振中。据报道，张振中自瑞典皇家工学院毕业后，进入瑞典国家研究院从事碳化硅材料及功率器件研发。2011年创办瑞典Ascatron公司并担任首席工程师，专注碳化硅外延片与功率器件的设计与制造，2015年开始与国内厂商合作。
作为中瑞宏芯团队的核心人物，张振中博士拥有逾10年超净室运营管理以及工艺设备和工艺流程管理经验，获评2021年苏州工业园区领军人才。张振中曾参与了ABB、英飞凌、三星等跨国公司研发和业务合作，成功研发出1.2kV至10kV电压等级碳化硅二极管、MOSFET和JFET等器件。
据报道，中瑞宏芯在瑞典设有SiC新型器件研发基地，与瑞典国家研究院（RISE）开展特殊MOS工艺开发的深度合作，并在厚外延、3D 结构外延、10KV二极管等多个前沿高压器件工艺及技术有所布局。另外，中瑞宏芯与国家第三代半导体技术创新中心（苏州）和江苏省第三代半导体研究院，挂牌共建SiC车用大功率MOSFET芯片技术联合研发中心。
当前碳化硅产业发展风起云涌，市场竞争激烈。国内碳化硅材料商扩产进展加速，并且从6英寸向8英寸量产发起冲击，不过头部厂商长期产能近两年内被海外碳化硅芯片及器件巨头锁定，并建立产业合作。而国内较为成熟的碳化硅器件商，包括士兰微、斯达半导、华润微、三安光电、时代电气、纳芯微、扬杰科技、新洁能等知名企业。
对于中瑞宏芯这样初创企业的未来发展前景，有产业人士表示，“只要能建立价格优势，还是会有机会的”。另有人士称，新兴初创公司更需要专注于国内市场的服务，实现差异化竞争。
科技部国家科技专家智库专家周迪表示，汽车电子等产业资本加持碳化硅项目，也是行业较为常见的模式。一方面给初创企业提供了资金支持，另外一方面也提供了技术和市场资源。
“碳化硅项目涉及到先进的技术和复杂的工艺流程，产业资本的加入，可以借助其技术实力和研发经验，提升初创公司在研发和应用方面的技术水平，从而增强其核心竞争力。”周迪表示，汽车电子等产业资本，可能拥有广泛的市场渠道和客户网络，他们的加入可以帮助初创企业拓展市场，提高品牌知名度，加快市场渗透速度。
中瑞宏芯此次领投方之一的纳芯微，亦有布局碳化硅器件技术。今年7月，该公司推出1200V系列SiC二极管产品，专为光伏、储能、充电等工业场景而设计。此外，纳芯微同时正在积极研发和验证1200V SiC MOSFET产品，并将于近期推出。纳芯微的SiC MOSFET产品将经过全面的车规级验证，以确保完全符合汽车级应用的要求。
而禾迈股份主要从事的光伏逆变器相关产品、储能相关产品等，均有待碳化硅材料进一步提升其有效性能。据了解，相比于硅基IGBT，SiC MOS具有更低的导通损耗、更低的开关损耗、无Si器件的电流拖尾显现、高开关频率等优点，还有利于提高光伏逆变器使用寿命。另外，碳化硅材料热导率以及禁带宽度高于硅材料，采用碳化硅器件可减小逆变器的体积和重量。
看好中瑞宏芯的资方，除了以上两家产业资本外，财联社创投通数据显示，股权穿透后，中瑞宏芯投资人还包括禾元控股、荷塘创投、领军创投、中新资本、明善资本等。
其中领军创投成立10年来，目前已成为苏州工业园区最大的政策性天使投资机构；元禾控股是一家由苏州工业园区管委会控股、江苏省国信集团参股的国有投资控股企业；中新资本背后则是中新苏州工业园区开发集团股份有限公司。