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中微公司(688012)内幕信息消息披露
 
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炒股高手!浮盈超一倍,中微公司计划二级市场清仓所回购的自家股份

http://www.chaguwang.cn  2025-10-30  中微公司内幕信息

来源 :股市动态分析2025-10-30

  

  图片来源:摄图网

  10月29日晚间,近2000亿市值的半导体设备龙头中微公司(688012)发布了两份公告,一份是三季报,一份是股份减持公告。

  三季报表明,除了扣非后归母净利润增速仅有个位数这点之外,公司营收和归母净利润都增长较高。

  但后一份公告则引起了较多关注,因为二级市场直接减持自己一年半前所回购的股份,在A股并不多见,不过,这在中微公司此前的回购报告书中,就已经有相关约定。

  浮盈超一倍

  根据减持公告,中微公司将在2025年11月20日~2026年2月19日期间,通过集中竞价交易方式,按照市场价格累计减持不超过2,096,273股已回购股份,占公司总股本的0.33%。若此期间公司发生送红股、资本公积金转增股本等导致公司股本总数变动的情形,公司将对减持股份数量进行相应调整。

  这部分股份来源于于2024年2月8日至2024年4月30日期间,中微公司累计回购所得。根据公告,这部分回购的股份用于维护公司价值及股东权益,将在披露回购结果暨股份变动公告12个月后采用集中竞价交易方式出售。根据当时的回购报告书之约定,公司如未能在股份回购实施完成之后3年内实施前述用途,尚未出售的已回购股份将予以注销,截至10月29日,公司尚未减持或转让前述股份。

  根据减持公告,本次减持所得资金将用于补充公司日常经营所需要的流动资金。

  根据此前的股份回购实施结果公告,中微公司回购股份数量为209.6273万股,实际回购金额为30074.45万元,回购股价区间为122.08元~162.49元。

  也就是说,本次减持,中微公司计划清仓上述回购所得的全部股份。

  中微公司股份回购实施结果

  

  来源:公告

  由此,我们可以简单计算得出,中微公司的回购平均价格约为143.47元。

  10月29日收盘,中微公司股价为296.66元,这部分股份浮盈已经超过1倍。

  中微公司2024年初至2025年10月30日股价走势图

  

  虽然发布了减持公告,但10月30日,中微公司股价并没有下跌,反而上涨,盘中一度上涨约6%,最终随大市回落,收于300.04元,涨幅1.14%。

  三季报业绩情况

  根据同日发布的三季报,第三季度,中微公司实现营收约为31.01亿元,同比增长50.62%;实现归母净利润约为5.09亿元,同比增长22.73%;实现扣非后归母净利润约为3.48亿元,同比小幅增长5.46%。

  中微公司三季报业绩情况

  

  来源:公告

  2025年前三季度(1-9月)的角度看,中微公司实现营业收入为80.63亿元,同比增长约46.40%。其中刻蚀设备收入61.01亿元,同比增长约38.26%;LPCVD和ALD等薄膜设备收入4.03亿元,同比增长约1332.69%。

  2025年前三季度(1-9月)归属于上市公司股东的净利润为12.11亿元,较上年同期增长约2.98亿元,同比增长约32.66%,主要原因为:

  (1)2025年前三季度营业收入增长46.40%下,毛利较上年增长约8.27亿元;

  (2)由于市场对中微开发多种新设备的需求急剧增长,2025年公司显著加大研发力度,以尽快补短板,实现赶超,为持续增长打好基础。2025年前三季度公司研发支出较上年同期增长9.79亿元(增长约63.44%),研发支出占公司营业收入比例约为31.29%,远高于科创板均值;

  (3)由于市场波动,公司2025年前三季度计入非经常性损益的股权投资收益为3.29亿元,较上年同期增加约2.75亿元。

  2025年前三季度(1-9月),中微公司的归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润约8.87亿元,较上年同期增加0.74亿元(增长约9.05%),主要由于营业收入增长下毛利增加8.27亿元,以及研发费用较上年同期增加8.80亿元。

  中微公司表示,公司站在先进制程工艺发展的最前沿,坚持技术的创新、产品的差异化和知识产权保护的基本原则。坚持原创的设计,和国际领先的半导体客户公司同步前行。公司目前在研项目涵盖六类设备,超二十款新设备的开发。公司研发新产品的速度显著加快,过去通常需要三到五年开发一款新设备,现在只需两年或更短的时间就能开发出有竞争力的新设备,并顺利进入市场,公司有望在未来几年加速、大规模地推出多种新产品。

  公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升,先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器件的超高深宽比刻蚀工艺实现大规模量产。其中CCP方面,公司用于关键刻蚀工艺的单反应台介质刻蚀产品保持高速增长,60比1超高深宽比介质刻蚀设备成为国内标配设备,量产指标稳步提升,下一代90比1超高深宽比介质刻蚀设备即将进入市场;ICP方面,适用于下一代逻辑和存储客户用ICP刻蚀设备和化学气相刻蚀设备开发取得了良好进展。加工的精度和重复性已达到单原子水平。公司为先进存储器件和逻辑器件开发的LPCVD、ALD等多款薄膜设备已经顺利进入市场,并且设备性能完全达到国际领先水平,薄膜设备的覆盖率不断增加。公司硅和锗硅外延EPI设备已顺利运付客户端进行量产验证,并且获得客户高度认可。在泛半导体设备领域,公司正在开发更多化合物半导体外延设备,已陆续付运至客户端开展生产验证。

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