中微公司参加第四届第三代半导体材料及装备发展研讨会

　　8月25日至26日，第四届第三代半导体材料及装备发展研讨会在青岛成功举办。中微公司参加了此次研讨会，并受邀发表主题演讲，与产业链上下游、设备及关键零部件研究、生产单位专家代表共同深入研讨，为行业发展群策群力。

　　

　　

　　

　　

　　主题演讲

　　氮化镓外延设备技术进展

　　郭世平

　　中微公司副总裁兼MOCVD

　　产品事业部总经理

　　

　　报告阐述了氮化镓材料的性能及其应用，介绍了中微公司MOCVD设备技术的发展进程及主要产品的性能，并对Micro-LED用MOCVD新技术，12"硅基氮化镓MOCVD技术及氮化镓基红光LED技术国内外研发进展及未来发展方向做了分享。

　　专题讨论

　　

　　中微公司副总裁兼MOCVD产品事业部总经理郭世平（图左一）主持了26日下午的会议报告及第一环节专题讨论。专题讨论围绕生长腔的温度如何控制、如何实现高效率和高良率切割、如何实现高精度抛光、如何做好缺陷检测等内容展开，众多知名企业专家代表共同参与，就行业热点话题展开了深入探讨。

　　本次会议由第三代半导体产业技术创新战略联盟主办，与第七届中国先进材料产业博览会同期（8月25日-27日）举行，并在博览会上特别安排了先进半导体材料与装备展览，众多高端装备材料和先进材料相关企业参展交流。

　　

　　第三代半导体在禁带宽度、击穿场强、电子饱和漂移速度、热导率等综合物理特性上具有特别突出的综合优势，特别在抗高电压、高温等方面性能尤为明显，是支撑下一代移动通信、新能源汽车、高速列车、能源互联网等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和关键电子元器件。