1 刻蚀设备具有全球竞争力，多维度拓展业务布局
1.1 立足刻蚀设备和 MOCVD 设备，获大基金二期加码
公司是国内领先的刻蚀设备和 MOCVD 设备生产商。
公司于 2004 年成立，2019 年成为科创板首批上市企业，为集成电路、LED 外延片、功率器件、MEMS 等半导体产品制造企业提供刻蚀设备、MOCVD 设备及 VOC 设备等。
其中，集成电路行业中的刻蚀设备和 LED 行业中的 MOCVD 设备是公司当前主要的两大业务。
在刻蚀设备方面，公司在先期开发了电容性等离子体刻蚀机（CCP），近年来又开发了电感性等离子体刻蚀机（ICP），目前 CCP 刻蚀设备已在 5 纳米器件上实现量产，并在 5 纳米以下器件的试生产上实现了突破性的进展，ICP 刻蚀机进入市场后也已进入高速发展阶段。
在 MOCVD 设备方面，公司的蓝光 LED 制造设备 Prismo D-Blue 和 Prismo A7 MOCVD 设备在氮化镓 LED 国际通用照明领域已占据领先地位，2021 年公司新发布的专为高性能 miniLED 量产而设计的 Prismo UniMax MOCVD 设备，能够帮助客户在 miniLED 生产过程中实现优异的波长均匀性、器件的稳定性和可靠性及合格率。
公司股权较为分散，无实际控制人。
截止 2021 年底，公司第一大股东上海创投持有 15.64%的股份，第二大股东巽鑫投资持有15.15%的股份，两者持股比例接近。
国家大基金二期参与了公司在 2020 年 8 月启动的定增项目，目前持有公司 3.97%的股份。
公司控股子公司中微汇链、中微惠创分别在工业环保设备和互联网供应链等新业务拓展领域取得了良好的进展，此外，公司持有国内薄膜沉积设备龙头公司拓荆科技 11.2%的股份。
公司打造了一支具有国际化优势的半导体设备研发和运营团队。
公司创始团队及核心技术人员大都有国际领先半导体设备公司的从业经验，在一定程度上理解竞争对手的企业文化和经营理念。
公司创始人、董事长及总经理尹志尧博士在半导体芯片和设备产业有 35 年行业经验，是 89 项美国专利和 200 多项其他海内外专利的主要发明人，为国际等离子体刻蚀技术发展和产业化的重要推动者。
1.2 业绩持续向好，未来成长可期
公司营业收入持续增长，刻蚀设备与 MOCVD 设备为主要收入来源。
公司 2021 年快速增长，实现营收 31.1 亿元，同比增长 37%。
受益于半导体设备市场发展及公司产品竞争优势，公司刻蚀设备营收增长较快。
MOCVD 设备方面，由于氮化镓基 LED MOCVD 的主要市场——通用照明近年来新增扩产较少，公司营收有所下降。因此公司刻蚀设备营收占比逐渐上升，超过 MOCVD 设备，成为最大收入来源。
公司毛利率水平有所提升，归母净利润快速增长。
2021 年公司刻蚀设备毛利率达到 44.3%， MOCVD 设备毛利率较去年同期有大幅提升，达到 33.8%。
由于近年来毛利率更高的刻蚀设备在营业收入中占比上升，公司总体毛利率水平有所提升。
公司归母净利润一直保持高速增长，2021 年实现归母净利润 10.1 亿元，同比增长 105%。
公司费用率呈下降趋势。
得益于公司销售规模扩大及管理水平提升，公司销售费用率和管理费用率分别由 2016 年的 21.6%和 9.3%下降至 2021 年的 9.5%和 6.5%。
由于员工股权激励所导致的大额股份支付费用以及员工人数、员工薪酬的增长，近年来费用率下降幅度有所放缓。
1.3 加强人才建设，重视技术创新
公司实行全员持股激励制度，培养稳定的专业研发团队。
作为科技创新型企业，自设立以来，公司实施全员持股计划，遵循扁平化的激励原则，规范有效的全员持股激励制度将员工个人利益和公司利益绑定在一起，大大提升了员工的积极性和创造性。
通过股权激励，公司也吸引了大批海外人才，员工来自美国、新加坡、日本和韩国等十多个国家。截止2021年底，公司员工硕博比例近 50%。
公司高度重视研发投入与自主核心技术。
公司自成立以来始终保持大额研发投入，2021 年公司研发投入达 7.3 亿元，占营业收入的比例为 23.4%。公司研发人员数量由 2018 年的 240 人上涨至 2021 年的 415 人。
2 国产替代叠加产能扩张，助力国产刻蚀设备发展
集成电路和光电子器件是半导体产品最主要的门类。
半导体产品种类繁多，不同产品之间设计和功能不尽相同，制造工艺和流程也存在一定差异。
以半导体产品市场规模中权重占比最高的集成电路产业链为例，上游由为设计、制造和封测环节提供软件及知识产权、硬件设备、原材料等生产资料的核心产业组成，中游可以分为半导体芯片设计环节、制造环节和封装测试环节，下游为半导体终端产品及其衍生的应用、系统等。
刻蚀设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三大主设备之一。
集成电路制造工艺繁多复杂，其中光刻、刻蚀和薄膜沉积是半导体制造三大核心工艺。
薄膜沉积工艺系在晶圆上沉积一层待处理的薄膜，匀胶工艺系把光刻胶涂抹在薄膜上，光刻和显影工艺系把光罩上的图形转移到光刻胶，刻蚀工艺系把光刻胶上图形转移到薄膜，去除光刻胶后，即完成图形从光罩到晶圆的转移。
制造芯片的过程需要数十层光罩，集成电路制造主要是通过薄膜沉积、光刻和刻蚀三大工艺循环，把所有光罩的图形逐层转移到晶圆上。
等离子体干法刻蚀是当前主流的刻蚀技术。
刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀，湿法刻蚀各向异性较差，侧壁容易产生横向刻蚀造成刻蚀偏差，通常用于工艺尺寸较大的应用，或用于干法刻蚀后清洗残留物等。
干法刻蚀是目前主要的刻蚀技术，其中以等离子体干法刻蚀为主导。
等离子体干法刻蚀主要分为电容性等离子体刻蚀（CCP）和电感性等离子体刻蚀（ICP）。
电容性等离子体刻蚀主要是以高能离子在较硬的介质材料上，刻蚀高深宽比的深孔、深沟等微观结构；而电感性等离子体刻蚀主要是以较低的离子能量和极均匀的离子浓度刻蚀较软和较薄的材料。这两种刻蚀设备涵盖了主要的刻蚀应用。
2.1 新兴应用领域需求强劲，半导体产业持续增长
传统市场日趋成熟，新兴应用驱动新一轮增长。
半导体在技术上的不断突破所带来的应用迭代，改变了许多传统行业，催生出众多新兴应用。
在集成电路应用领域中，以物联网为代表的新兴产业，在可预见的未来内发展趋势明朗。
可穿戴设备、智能家电、自动驾驶汽车、智能机器人、3D 显示等应用的发展将促使数以百亿计的新设备进入这些领域，释放出大量芯片制造的需求。
根据 WSTS 估计，全球集成电路市场规模将由 2016 年的 2766 亿美元上涨至 2022 年的 5023 亿美元，年复合增长率达 10%。
根据 CSIA 和 Frost&Sullivan 统计，中国集成电路产业销售额将从 2016 年的 4336 亿元上升至 2021 年的 9883 亿元，年复合增长率达 18%。
半导体产业的发展衍生出巨大的设备市场需求。
根据半导体行业内“一代设备，一代工艺，一代产品”的经验，半导体产品制造要超前电子系统开发新一代工艺，而半导体设备要超前半导体产品制造开发新一代产品。
因此半导体设备行业是半导体芯片制造的基石，擎起了整个现代电子信息产业。
物联网等新兴应用领域将进一步推动上游半导体设备行业的稳步增长。
据 SEMI 估计，全球半导体设备销售额将从 2016 年的 412 亿美元上涨至 2022 年的 1140 亿美元，年复合增长率达 18%。
2.2 芯片制造工艺改进，刻蚀设备用量提升
制程升级使得刻蚀步骤增加。
随着国际上高端量产芯片从 14 纳米到 10 纳米阶段向 7 纳米、5 纳米甚至更小的方向发展，当前市场普遍使用的沉浸式光刻机受光波长的限制，关键尺寸无法满足要求，必须采用多重模板工艺，利用刻蚀工艺实现更小的尺寸。
以 10nm 多重模板工艺为例，通过多次薄膜沉积和刻蚀工序，芯片可实现更小线宽。
因此随着制程升级，在实现相同芯片制造产能的情况下，晶圆厂对刻蚀设备的数量和质量要求也将相应增加。比如从 65nm 制程的 20 次刻蚀增加至 5nm 制程的 160 次刻蚀，复杂度提升了 7 倍。
先进工艺对刻蚀技术的精确度和重复性要求更高。
为保证总体合格率，工艺步骤越多，对单个步骤的合格率要求就越高。刻蚀技术需要在刻蚀速率、各向异性、刻蚀偏差、选择比、深宽比、均匀性、残留物、等离子体引起的敏感器件损伤、颗粒沾污等指标上满足更高的要求。
3D NAND 堆叠层数增加拉动刻蚀设备需求。
集成电路 2D 存储器件的线宽已接近物理极限， NAND 闪存已进入 3D 时代。
3D NAND 制造工艺中，增加集成度的主要方法不再是缩小单层上线宽而是增加堆叠的层数，当前叠堆层数正从 32/64 层向 96/128 层发展，层数增加导致晶圆厂对刻蚀设备需求量上升。
根据东京电子统计，刻蚀设备占 FLASH 芯片产线资本开支比例从 2D 时代的 15%增长至 3D 时代的 50%。
此外，3D 工艺下，刻蚀要在氧化硅和氮化硅一对的叠层结构上，加工 40：1 到 60：1 的极深孔或极深的沟槽，3D NAND 层数的增加要求刻蚀技术实现更高的深宽比。
ICP、CCP 刻蚀为目前市场主流，ALE 是未来升级趋势。
由于微观器件越做越小，薄膜厚度越来越薄，线宽控制越来越严，ICP 刻蚀需求提升。
此外，3D NAND 制造工艺也需要介质刻蚀高精度的薄膜，要求能量较低、均匀度更高的等离子体在低电压下进行刻蚀，这也增加了晶圆厂商对 ICP 刻蚀机的需求。
但 ICP 与 CCP 分别用于刻蚀底层器件和上层线路，二者并非替代关系，因此 CCP 刻蚀机仍保有其市场份额。而原子层刻蚀（ALE）能够精确控制刻蚀深度，但目前仍处于初期阶段，只在部分传统刻蚀难以完成的领域应用，是未来技术升级趋势。
2.3 国产替代叠加产能扩张，公司有望深度受益
多因素助力刻蚀设备国产化。
从政策端看，国家通过政策支持、重大科技项目引导、产业基金投资等多种方式，鼓励半导体设备厂商与晶圆厂协同发展，共同构建本地产业链合作。
从需求端看，随着全球贸易摩擦给半导体供应链带来不确定性，国产设备受到国内晶圆厂商的青睐。
从供给端看，北方华创、中微公司等国内刻蚀设备细分龙头在等离子体刻蚀设备领域产品优势显著，产品陆续发往国内大型晶圆厂商进行验证。
因此，在政策、资本、需求、技术等多因素推动下，刻蚀设备有望加速实现国产化。
大基金一期大力支持芯片制造业，投资占比达到 47%，为设备、材料下游需求奠定良好基础。大基金二期则重点投入半导体设备、材料环节，设备、材料企业迎来快速发展机遇。
国内晶圆厂新建产能进程加快，催生刻蚀设备需求。
在半导体需求高涨以及芯片自制政策推动下，中芯国际、华虹集团等国内晶圆代工厂未来数年扩产计划相当积极。根据芯思想研究院统计，截至 2021 年 6 月我国晶圆制造扩产的 Fab 厂有 16 家，规划产能超过 90 万片，产能将在 2021-2023 年逐步释放。
与晶圆厂扩产相伴，国内将产生更多半导体设备采购需求，从而为刻蚀设备带来广阔市场。
公司刻蚀设备国内领先，订单量快速提升。
公司 CCP刻蚀设备产品保持竞争优势，批量应用于国内外一线客户的集成电路加工制造生产线。
在先进逻辑电路方面，公司成功取得 5 纳米及以下产线的重复订单；在存储电路方面，公司设备在 64 层及 128 层 3D NAND 生产线得到广泛应用，随着 3D NAND 芯片制造厂产能迅速爬升，该等产品的重复订单稳步增长。
公司 ICP 刻蚀设备也逐步趋于成熟。
2021 年 6 月，Primo nanova第 100 台反应腔顺利交付，经过客户验证的应用数量也在持续增加。
此外，公司研发的具有高输出率特点的双反应台 ICP 设备 Primo Twin-Star也已经在客户端完成认证，并收到来自国内领先客户的订单。
公司刻蚀设备部分技术已达国际一流水平。
在目前广泛使用的高密度等离子刻蚀设备上，公司的 CCP 设备与全球最大刻蚀设备提供商——泛林集团 DRIE 设备的效果相当。
同时，公司的介质刻蚀已经进入台积电 7nm/5nm 产线，是唯一一家进入台积电产线的国产刻蚀设备生产商。
而国内另一家主要的刻蚀设备供应商——北方华创在 ICP 设备和硅刻蚀方面具有优势，客户主要为国内晶圆厂商。
公司重视自主创新，追赶国际厂商。
在产品开发方面，公司提出不同于外国公司的创新点。公司首创了第三代 D-RIE CCP 刻蚀反应器，即深高频去耦合的反应离子刻蚀，将高频和低频混频在电机上，使刻蚀机有非常好的性能。
在机械结构方面，不同于美国硅片加工成本高、占地面积大的单反应器反应台，公司独创出国外三大公司都没有做的双反应台设备，即一个反应腔里面有两个反应台，使得成本降低超 30%、输出量提高 50%。
国际半导体刻蚀设备市场由美日厂商主导，公司有望引领国产替代。
半导体刻蚀设备领域长期由海外龙头垄断，根据 Gartner 统计，2020 年全球前三大刻蚀设备厂商泛林半导体（Lam Research）、东京电子（TEL）和应用材料（AMAT）合计占有 91%的市场份额。
而中微公司与北方华创逐步打破国际刻蚀巨头在国内的垄断，以主营 3D NAND 的 IDM 企业长江存储为例，其 2020 年公开招标的刻蚀设备中，中微公司中标占比为 14%，仅次于泛林半导体。
此外，公司 CCP 设备也进入了台湾市场，在某逻辑晶圆厂商 14nm 产线中占有率达到 24%，在某存储器厂商 20nm 12/22 层产线中占有率达到 37%，均已占到市场份额的前三位。随着国内半导体上下游企业加强合作，刻蚀设备企业将与芯片制造厂商共同成长，进一步增加在国内的市场份额。
3. mini/micro LED 推动 MOCVD 需求提升
外延生长与芯片制造是 LED 产业链中的两大关键环节。
LED 产业链上游包括衬底制作、外延生长和芯片制造，封装和应用分别属于中游和下游。
LED 衬底的主要功能是承载，是生产外延片的主要原材料；外延生长是指在 LED 衬底上利用各种外延生长法形成半导体发光材料薄膜从而制成外延片的过程；在芯片制造环节中，首先需要进行芯片结构和工艺设计，然后通过退火、光刻、刻蚀、金属电极蒸发、合金化和介质膜等工序形成发光二极管结构，通过关键指标测试后再进行磨片、切割、分选和包装；封装是指将外引线连接至芯片电极，形成 LED 器件。
MOCVD 设备是 LED 制造中最重要的设备。
LED 产业链涉及的设备主要包括：衬底加工需要的单晶炉、多线切割机；制造外延片需要的 MOCVD 设备；制造芯片需要的光刻、刻蚀、清洗、检测设备；封装需要的贴片机、固晶机、焊线台和灌胶机等。
与集成电路在多种核心设备间循环的制造工艺不同，LED 外延片制备主要通过 MOCVD 单种设备实现。
MOCVD 设备采购金额一般占 LED 生产线总投入的一半以上，因此其设备数量成为衡量 LED 制造商产能的直观指标。以聚灿光电为例，2016 年其 MOCVD 设备价值在主要生产设备总价值中的占比达 67%。
MOCVD（金属有机化学气相沉积）技术主要用于制备半导体光电子、微电子器件领域的各种 IIIV 族化合物（GaAs、 GaN)和 II-VI 族化合物（ZnSe）半导体单晶材料。
目前，在化合物半导体量子阱、超晶格和异质结等低维结构的制备中，MOCVD 越来越成为主要手段，并在化合物半导体 LED、激光器、高频电子器件和太阳电池等领域具有规模化生产的能力。
采用 MOCVD 技术进行外延生长的过程较为复杂，一般可概括为：载气（主要采用 H2，也可采用 N2）携带反应源材料（其流量被精确控制）输运至反应室，到达加热的衬底表面后发生反应，生长出外延层，反应后残留的尾气经过尾气处理系统处理后排出反应室。
3.1 mini/microLED 是显示技术的升级方向
海兹定律推动下，LED 技术不断升级。
类似于半导体行业的摩尔定律，LED 行业也存在着海兹定律，即：LED 产业每 18-24 个月亮度提升 1 倍，每 10 年输出流明提升 20 倍、成本降至原来的 1/10。
在海兹定律驱动下，LED 的升级路径沿着成本下降、尺寸缩小以及发光效率提升的方向演进。随着 LED 照明技术达到成熟阶段，mini/micro LED 将接棒蓄力，引领下一代技术发展。
microLED 是显示技术的未来发展方向，miniLED 成为当下过渡到 microLED 的最优方案。
小间距 LED 显示具有无拼缝、显示效果好、使用寿命长等优势，且近年来成本下降较快，形成对 LCD 与 DLP 替代的趋势。
miniLED 是小间距 LED 的进一步延伸，应用于直接显示和背光两大场景。
在直接显示领域，miniLED 作为小间距显示屏的升级产品，提升可靠性和像素密度，其对应的 LED 芯片尺寸在 0.08-0.20mm，可以用于 RGB 显示屏；在背光领域，采用 miniLED 背光技术的 LCD 显示屏，在亮度、对比度、色彩还原等方面远优于普通 LED 做背光的 LCD 显示屏。
microLED 显示屏是巨量微型 LED 单元组成的 RGB 显示阵列，像素密度远高于现有显示技术（可达 1500PPI 以上），而且寿命比有机材料制成的 OLED 和 LCD 更长，耗电低，目前在芯片、巨量转移、驱动电路等各个环节均处于研发阶段。虽然 microLED 是最佳显示技术方案，但仍处于技术攻关阶段，miniLED 能在 LCD 上直接改进，技术更加成熟。
传统照明市场成长空间有限，新型 mini/microLED 应用成为突破点。
目前传统 LED 照明领域的增长速度逐步放缓，利润空间短期难以回到之前的水平，技术变革带来的产品结构优化升级成为企业提升盈利能力的主要途径。
miniLED 技术成熟、量产可行，主要在中高端液晶显示屏背光、LED 显示得到大规模应用。随着超高清视频产业时代到来，电视向大屏化、高清化、宽色域等方向发展，miniLED 技术被加以应用。
除电视市场之外，miniLED 背光显示将以具备的亮度高、更节能、使用寿命更长等优势，在平板电脑、笔记本电脑、Pad 和车载屏幕等显示领域也将被广泛应用，打开新的成长空间。
下游企业增加在新兴领域的布局，拉动 MOCVD 设备新需求。
2019 年以来，苹果、小米、TCL、海信、华硕、群创、友达、京东方等知名厂商密集发布了应用 miniLED 技术的电视、VR 和车载显示等产品，这将带动上游厂商增加在 miniLED 领域的生产支出，从而对 MOCVD 设备的需求会大幅提升。
深紫外 LED 亦是未来 LED 应用的重点方向。
深紫外 LED（UVC LED）指的是发光中心波长短于 300nm 的 LED，常用于消毒杀菌领域。一方面，由于汞对人类社会和环境的影响，从 2020 年起主要用于民用和工业领域消毒杀菌的汞灯被国际《水俣公约》限制使用，将逐步退出市场。
另一方面，受新冠疫情影响，大众杀菌、消毒意识明显上升。在这些因素推动下，深紫外 LED 技术有望作为健康产品进入人们的生活，未来在空气、饮用水、餐具、衣物等日常杀菌/净化市场有着巨大机遇。
3.2 紧随 LED 前沿，MOCVD 设备竞争力强
顺应行业发展趋势，不断推出新型 MOCVD 设备。
公司从 2010 年开始开发用于 LED 外延片加工中最关键的设备——MOCVD 设备。
早期公司推出的 Prismo D-BLUE 和 Prismo A7 设备用于蓝绿光 LED、功率器件等加工，已在氮化镓 LED 国际通用照明领域已占据领先地位。
2020年，公司推出应用于深紫外 LED 外延片生产的 Prismo HiT3设备，已在行业领先客户端进行生产验证并获得重复订单。
2021年公司发布了专为高性能 miniLED 量产而设计的 Prismo UniMax设备，已收到来自国内领先客户的订单，公司正在与更多客户合作进行设备评估。
此外，制造 microLED 等应用的新型 MOCVD 设备也正在开发中。
公司是少数成功实现国产商用 MOCVD 设备的国内厂商，打破国外公司的垄断格局。
2016 年以前国内外的 MOCVD 设备行业的参与者长期为维易科、爱思强等欧美公司，为突破该市场状况，国内曾有数十家企业及研究单位进行 MOCVD 设备的开发。
由于极高的技术壁垒，仅以公司为代表的少数企业成功研制出国产商业 MOCVD 设备。当前公司设备已应用于三安光电、华灿光电和乾照光电等主流 LED 厂商产线，打破了国外公司的垄断局面。
根据 IHS Markit 的统计，2018 年公司的 MOCVD 占据全球氮化镓基 LED 用 MOCVD 新增市场的 41%，尤其在下半年，这一比重超过了 60%。
4.积极拓展业务领域，打造平台化公司
公司持续践行三维发展战略，并兼顾外延性发展。
公司将深耕集成电路关键设备领域、扩展在泛半导体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会，多维发展将帮助公司更好地抵御设备行业周期性的影响。
在聚焦核心业务集成电路设备的同时，公司积极探索布局包括健康领域在内的新业绩增长点，子公司中微惠创和中微汇链分别在工业环保设备、互联网供应链领域取得了卓有成效的进展。
内生发展方面，外延生长及化学沉积薄膜设备市场约 130 亿美元，公司已组建团队开发 EPI 和 LPCVD 设备，通过 MOCVD-EPI-LPCVD-ALD 的路径发展，将与拓荆科技配合覆盖相关 CVD 领域。
其中，EPI 设备主要聚焦于 Foundry Logic Device，主要应用是 Si 和 Si/Ge EPI；LPCVD 设备主要聚焦于 Memory Device，主要应用是 W、WN 和 TiN 等。
外延布局方面，公司已投资睿励仪器（检测）、拓荆科技（薄膜沉积）、理想万里晖（太阳能电池）和 SOLAYER（欧美光学镀膜），并积极探索其他合资与合作机会。
公司未来将通过内生外延的方式扩大产品和市场覆盖，推动自身健康发展。
公司在 2020 年启动了定增项目，募集资金拟在上海临港新片区建设中微临港总部和研发中心、中微临港产业化基地，在南昌高新区建设中微南昌产业化基地。
上海临港新片区和南昌高新区均具有明显的产业化集群优势，公司本次投资的实施将有助于公司抓住区域发展协同机遇，进一步做大做强公司主营业务。此外，部分募集资金用作科技储备资金，满足与其他厂商协作开发产品和适时的兼并收购资金需求。
盈利预测
我们对公司 2022-2024 年盈利预测做如下假设：
1)收入的大幅增长来自于刻蚀设备、MOCVD 设备订单量的快速提升，中微 CCP 刻蚀机国内领先，受益国产化率持续提升；ICP 刻蚀机市场拓展顺利，份额亦有望快速提升；MOCVD 设备主要受益 miniLED 带动 LED 芯片厂商资本开支提升，设备需求旺盛。
随专用设备保有量提升，备品备件销售、设备维护收入亦有望随之增长。我们预计 22-24年公司收入分别为 44.7、62.0、84.6 亿元。
2)公司 22-24 年毛利率分别为 43.7%,44.0%和 44.5%。
毛利率的提升一方面受益于 MOCVD 设备中毛利率更高的miniLED MOCVD 占比提升，另一方面受益于整体收入结构中毛利率更高的刻蚀机、备品备件业务、设备维护服务合计占比提升。
3)公司 22-24 年销售费用率为 8.7%,7.6%和 7.1%，管理费用率为 6.1%,5.4%和 4.9%。
销售、管理费用的下降主要考虑到销售收入的增长对费用有一定的摊薄影响。
研发费用率预计 22-24 年为 11.2%、9.9%、9.7%，预计公司持续高研发投入进行产品升级、并拓展新产品、新客户。
4)公司 22-24年的所得税率维持 10.7%。
我们预测公司 2022-2024年每股收益分别为 1.58、2.23、3.11 元，22年每股收益下滑主要因为考虑到非经常性损益的不确定性，我们对非经常性损益项目进行了保守预测。
考虑到刻蚀设备国产替代空间广阔，采用绝对估值法（FCFF），在详细预测期内，我们假设国内半导体刻蚀设备市场投资额占全球投资额的比例恒为 28.5%，公司 ICP、CCP 刻蚀机在国内市场份额分别能逐步提升至 25%、33%，MOCVD 全球市场份额能逐步提升至 29%，净利率随费用率摊低逐步提升至 23.8%。
风险提示
刻蚀设备国产化进度不及预期：刻蚀机国产化率较低，公司未来受益于刻蚀机国产化率的提升，若国产化进度不及预期，将对公司该部分业务的收入和整体估值产生负面影响。
半导体设备行业景气度不及预期：若下游晶圆厂缩减资本开支，导致设备支出下行，将对公司收入及利润产生负面影响。
miniLED 需求不及预期：miniLED 快速渗透成为拉动MOCVD 需求的重要因素，若miniLED 需求不及预期，将导致 MOCVD 需求不及预期，对公司该部分业务收入产生负面影响。
政府补助下滑风险：目前阶段政府补助对公司利润影响较大，若政府补助下滑，将对公司预测期内业绩产生负面影响。
零部件断供风险：设备类公司部分零部件供应仍依赖海外供应商，若零部件断供，将对公司设备交付及业绩产生负面影响。